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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的测试方法、半导体测试结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211437284.1，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体结构的测试方法、半导体测试结构及其制备方法是由连建伟设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的测试方法、半导体测试结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的测试方法、半导体测试结构及其制备方法，半导体测试结构包括：衬底包括块状有源区和隔离区，块状有源区具有第一测试端和第二测试端；伪栅极；第一介质层；第一金属层包括相互隔离的第一测试线和第二测试线；测试接触对包括第一测试接触和第二测试接触，第一测试端通过第一测试接触与第一测试线电连接，第二测试端通过第二测试接触与第二测试线电连接；第二介质层；伪接触对包括第一伪接触和第二伪接触，第一伪接触与第一测试线电连接，第二伪接触与第二测试线电连接，且伪接触对在衬底上的正投影和伪栅极在衬底上的正投影具有重叠部分。本发明可以测试接触结构是否出现PID问题。

本发明授权半导体结构的测试方法、半导体测试结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：衬底，包括块状有源区和位于所述块状有源区外围的隔离区，所述块状有源区具有第一测试端和第二测试端；伪栅极，位于所述隔离区表面；第一介质层，覆盖所述衬底和所述伪栅极；第一金属层，包括相互隔离的第一测试线和第二测试线，所述第一测试线和所述第二测试线位于所述第一介质层上；测试接触对，包括第一测试接触和第二测试接触，所述第一测试接触和所述第二测试接触分别贯穿所述第一介质层，所述第一测试端通过所述第一测试接触与所述第一测试线电连接，所述第二测试端通过所述第二测试接触与所述第二测试线电连接；第二介质层，位于所述第一金属层和所述第一介质层上；伪接触对，包括第一伪接触和第二伪接触，所述第一伪接触和所述第二伪接触至少贯穿所述第二介质层，所述第一伪接触与所述第一测试线电连接，所述第二伪接触与所述第二测试线电连接，且所述伪接触对在所述衬底上的正投影和所述伪栅极在所述衬底上的正投影具有重叠部分。

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