恭喜华中科技大学;武汉光迅科技股份有限公司余宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜华中科技大学;武汉光迅科技股份有限公司申请的专利一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211460138.0，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法是由余宇;石洋;邹明洁;郜定山;张新亮;成璇璇设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法，属于光电子器件领域。全硅光电探测器包括补偿掺杂的吸收区、收集电流的P++和N++重掺杂区。一方面，通过P型和N型混合的补偿掺杂的方式，在硅波导内部引入了超过传统的单次掺杂的缺陷密度，同时形成具有本征半导体性质的吸收区，避免对光探测无贡献的自由载流子吸收。另一方面，通过狭缝波导提高了界面处的缺陷密度以及增强了缺陷与光之间的相互作用。从而，全硅光电探测器可以利用在硅波导中引入的缺陷以及增强光与缺陷的相互作用来实现光通信波段1.3‑1.6μm的光探测。此外，本发明的制备过程完全兼容CMOS工艺，无需引入其他材料，具备低成本和高集成度的优势。
本发明授权一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器，其特征在于，包括补偿掺杂的吸收区、收集电流的P++和N++重掺杂区，所述吸收区由P型掺杂和N型掺杂通过补偿掺杂的方式形成；在所述吸收区依次注入P型掺杂和N型掺杂的离子，或者依次注入N型掺杂和P型掺杂的离子，形成具有本征半导体性质的吸收区；所述吸收区由狭缝波导构成。
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