恭喜中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所康黎星获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一维层状碲氧化铋铁电纳米带及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211467349.7，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一维层状碲氧化铋铁电纳米带及其制备方法与应用是由康黎星;李云飞;刘永设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一维层状碲氧化铋铁电纳米带及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一维层状碲氧化铋铁电纳米带及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用盐辅助化学气相沉积的方法，以三氧化二铋、碲和无机盐为生长前驱体，在生长衬底上生长制得一维层状碲氧化铋铁电纳米带。本发明提供的制备方法首次利用常压化学气相沉积法合成了具有室温铁电性的一维层状碲氧化铋纳米带，其厚度接近单层碲氧化铋，纳米带宽度在几纳米到几百纳米范围内可调，为低维铁电材料的制备提供了思路，为铁电存储器件的尺寸缩小和性能提高提供了可能和广阔的应用前景；并且，本发明的制备方法整个生长过程较为简单，且耗能较低。
本发明授权一维层状碲氧化铋铁电纳米带及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种一维层状碲氧化铋铁电纳米带的制备方法，其特征在于，包括：将三氧化二铋、碲和无机盐混合均匀，形成生长前驱体混合物，所述无机盐为氯化钠；以保护性气体作为载气，将所述生长前驱体混合物、生长衬底共同置于化学气相沉积设备的反应腔室内，所述生长衬底倾斜或平行设置于所述生长前驱体混合物的上方，或者，将所述生长前驱体混合物设置于相邻两片生长衬底之间；之后采用10~50℃min的升温速率将所述反应腔室的温度升至500~700℃，并保温反应1~15min，制得一维层状碲氧化铋铁电纳米带；所述一维层状碲氧化铋铁电纳米带在c方向为原子薄层，ab方向存在铁电性，所述一维层状碲氧化铋铁电纳米带的长度为50nm~100μm，宽度为8nm~20µm；所述一维层状碲氧化铋铁电纳米带的长径比为10：1~500：1。
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