买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利基于二维异质结的室温全电控磁存储单元及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211496927.X，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权基于二维异质结的室温全电控磁存储单元及存储器是由王开友;林海龙;朱文凯;兰修凯设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于二维异质结的室温全电控磁存储单元及存储器在说明书摘要公布了：提供一种基于二维异质结的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的竞争自旋流合金层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；竞争自旋流合金层由相反自旋霍尔角的合金材料或自旋霍尔角相反的过渡金属元素组成的合金组成，通过竞争自旋流效应产生的额外的面外极化的自旋流实现室温范德华磁性自由层无外磁场辅助的纯电控磁翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性的变化而变化。还提供一种磁存储器。

本发明授权基于二维异质结的室温全电控磁存储单元及存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于二维异质结的室温全电控磁存储单元，包括：自下而上堆叠设置的竞争自旋流合金层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；其中，所述竞争自旋流合金层由具有相反自旋霍尔角的合金材料或由自旋霍尔角相反的过渡金属元素组成的合金组成，通过竞争自旋流效应产生的额外的面外极化的自旋流实现室温范德华磁性自由层无外磁场辅助的纯电控磁翻转；所述室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向通过输入竞争自旋流合金层的电信号极性控制；所述范德华空间层由具有半导体带隙和电阻率的二维范德华材料构成，或由具有绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；以及所述室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随竞争自旋流合金层输入电信号极性的变化而变化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。