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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种叠层电路结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115767960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211596735.6，技术领域涉及：H05K3/46；该发明授权一种叠层电路结构及其制备方法是由吴豪;王书典设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种叠层电路结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路封装相关技术领域，其公开了一种叠层电路结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：1在陶瓷板相背的两个表面上制备图案化线路，并在所述陶瓷板上制备互通孔道，所述互通孔道连接两个所述图案化线路；所述图案化线路上贴装有半导体器件；2在一个所述图案化线路上依次制备多个隔离层及多层电路以得到所述叠层电路结构；所述隔离层与所述电路交互设置；所述电路上贴装有半导体器件，所述半导体器件嵌设在对应的隔离层内，所述隔离层开设有互通孔道，所述互通孔道连接相邻的两层电路。本发明通过磁控溅射的工艺方式形成叠层电路结构，简化了原有多层电路制作工艺步骤。

本发明授权一种叠层电路结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种叠层电路结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1在陶瓷板相背的两个表面上制备图案化线路，并在所述陶瓷板上制备互通孔道，所述互通孔道连接两个所述图案化线路；所述图案化线路上贴装有半导体器件；2在一个所述图案化线路上依次制备多个隔离层及多层电路以得到所述叠层电路结构；所述隔离层与所述电路交互设置；所述电路上贴装有半导体器件，所述半导体器件嵌设在对应的隔离层内，所述隔离层开设有互通孔道，所述互通孔道连接相邻的两层电路；采用直写与旋涂相结合的方式来制备隔离层，包括以下步骤：首先，根据各层电路上的半导体元器件布置位置，从电路边缘向电路中心进行直写喷头移动路径规划；之后，对电路边缘进行L形涂覆，且两次L形路线共用起始点；接着，对涂覆的绝缘胶进行加热固化以得到电路边缘临时围挡；之后，沿电路上凸起的半导体器件的外边缘进行涂胶，并在角点进行0.05s～0.1s停顿；接着，进行电路层线路部分直写涂覆绝缘胶，从层电路边缘进行向内回字面扫直写；之后，对电路的中心部位直写绝缘胶，进而得到隔离层。

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