恭喜长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310014263.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由唐怡;吴琼;肖剑锋设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：沿第一方向延伸的半导体通道，且半导体通道包括沿第一方向依次排布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；沿第二方向延伸的位线结构，且位线结构与第一掺杂区的远离沟道区的一端接触连接；沿第三方向延伸的栅极结构，且栅极结构沿第三方向贯穿沟道区的半导体通道，第一方向、第二方向和第三方向两两相交；沿第三方向延伸的第一支撑层，且第一支撑层沿第三方向贯穿第一掺杂区的半导体通道；沿第三方向延伸的第二支撑层，且第二支撑层沿第三方向贯穿第二掺杂区的半导体通道。本公开实施例至少有利于改善半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：沿第一方向延伸的半导体通道，且所述半导体通道包括沿所述第一方向依次排布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；沿第二方向延伸的位线结构，且所述位线结构与所述第一掺杂区的远离所述沟道区的一端接触连接；沿第三方向延伸的栅极结构，且所述栅极结构沿所述第三方向贯穿所述沟道区的所述半导体通道，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相交；沿所述第三方向延伸的第一支撑层，且所述第一支撑层沿所述第三方向贯穿所述第一掺杂区的所述半导体通道；沿所述第三方向延伸的第二支撑层，且所述第二支撑层沿所述第三方向贯穿所述第二掺杂区的所述半导体通道。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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