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龙图腾网恭喜上海类比半导体技术有限公司申请的专利用于测量感应温度的二极管的电压的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116046192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310078666.8，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权用于测量感应温度的二极管的电压的电路是由张维承设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于测量感应温度的二极管的电压的电路在说明书摘要公布了：本申请涉及集成电路技术领域，公开了一种用于测量感应温度的二极管的电压的电路。所述二极管的阴极耦合到电压源，阳极通过偏置电流源耦合到电荷泵电源，所述电路包括：运算放大器，其第一输入端通过一单位电阻耦合到所述二极管的阳极，第二输入端耦合到所述二极管的阴极；第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极耦合到所述运算放大器的输出端，所述第一PMOS晶体管的源极耦合到所述运算放大器的第一输入端和与其耦合的所述单位电阻之间；第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的漏极耦合到所述第一NMOS晶体管的漏极和栅极，所述第一NMOS晶体管的漏极耦合到地端；补偿单元。本申请将二极管上的电压差从高压侧转换到低压侧，精度更高，功耗更低。

本发明授权用于测量感应温度的二极管的电压的电路在权利要求书中公布了：1.一种用于测量感应温度的二极管的电压的电路，其特征在于，所述二极管的阴极耦合到电压源，所述二极管的阳极通过偏置电流源耦合到电荷泵电源，所述电路包括：运算放大器，所述运算放大器的第一输入端通过一单位电阻耦合到所述二极管的阳极，所述运算放大器的第二输入端耦合到所述二极管的阴极；第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极耦合到所述运算放大器的输出端，所述第一PMOS晶体管的源极耦合到所述运算放大器的第一输入端和与其耦合的所述单位电阻之间；第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的漏极耦合到所述第一NMOS晶体管的漏极和栅极，所述第一NMOS晶体管的漏极耦合到地端；补偿单元，所述补偿单元包括第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的源极均耦合到电源，所述第二PMOS晶体管的漏极耦合到所述二极管的阳极和与所述运算放大器的第一输入端耦合的单位电阻远离所述第一输入端的一端，所述第二PMOS晶体管的栅极以及所述第三PMOS晶体管的栅极和漏极相连并耦合到所述第二NMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的栅极耦合到所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极，所述第二NMOS晶体管的源极耦合到所述地端。

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