恭喜深圳量旋科技有限公司梁莹获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳量旋科技有限公司申请的专利超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115955906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310143477.4,技术领域涉及:H10N60/01;该发明授权超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法是由梁莹;孟铁军;项金根设计研发完成,并于2023-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法在说明书摘要公布了:本申请实施例提供了一种超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法,用于低成本地减小芯片串扰的效果。基底的制作方法包括:于芯片基底的主体上制作通孔;对所述芯片基底的主体进行膜层溅射处理,以于所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生长金属膜层,其中所述表面包括上表面和下表面;对经过膜层溅射处理的芯片基底的主体进行金属电镀处理,以形成填充于所述通孔的金属柱及覆盖于所述芯片基底的主体的上表面的金属镀层;对经过金属电镀处理的芯片基底的主体的表面进行平滑处理,以去除所述芯片基底的主体的表面的所述金属膜层及所述芯片基底的主体的上表面的所述金属镀层,形成超导量子芯片的基底。
本发明授权超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种超导量子芯片的基底的制作方法,其特征在于,所述方法包括:采用石英玻璃作为芯片基底,通孔贯穿于所述芯片基底,所述通孔采用TGV工艺制作,所述TGV工艺包括激光诱导刻蚀技术;对所述芯片基底的主体进行膜层溅射处理,以于所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生长金属膜层,其中所述表面包括上表面和下表面,所述金属膜层至少包括种子层和阻挡层,其中所述种子层覆盖所述阻挡层,所述阻挡层位于所述通孔的内壁与所述种子层之间;对经过膜层溅射处理的芯片基底的主体进行金属电镀处理,以形成填充于所述通孔的金属柱及覆盖于所述芯片基底的主体的上表面的金属镀层;对经过金属电镀处理的芯片基底的主体的表面进行平滑处理,以去除所述芯片基底的主体的表面的所述金属膜层及所述芯片基底的主体的上表面的所述金属镀层,形成超导量子芯片的基底;于所述芯片基底的主体上制作通孔之后,所述方法还包括:采用减薄工艺对所述芯片基底的主体进行减薄处理,以使得所述芯片基底的主体的厚度满足目标厚度;对经过减薄处理后的芯片基底的主体进行抛光处理,以使得所述芯片基底的主体的表面光滑度满足目标光滑度;所述对所述芯片基底的主体进行膜层溅射处理,以于所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生长金属膜层包括:采用磁控溅射技术对所述芯片基底的主体的表面及所述通孔的内壁分别进行金属膜层的溅射处理,以使得所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生成阻挡层;当所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生成所述阻挡层后,于所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生成种子层以使得所述种子层覆盖所述阻挡层;其中所述金属膜层包括所述阻挡层及所述种子层。
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