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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种基于OECT阵列的插拔式复合离子检测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119619256B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510151653.8，技术领域涉及：G01N27/333；该发明授权一种基于OECT阵列的插拔式复合离子检测器及其制备方法是由文劲杰;黄伟;周毅昕;郑雪丰设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于OECT阵列的插拔式复合离子检测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于OECT阵列的插拔式复合离子检测器及其制备方法，属于有机电化学晶体管技术领域。所述检测器包括基板、源极线、半导体层、漏极线、封装层、离子驱动层、钠离子选择性膜、钾离子选择性膜、钙离子选择性膜及保护层。此外，本发明还提出了一种基于OECT阵列的插拔式复合离子检测器的制备方法。本发明突破性地引入了一种革新性的插拔式复合离子检测方案，实现了对液体样本中离子浓度的高精度实时监测。该技术通过独特的原理和方法，在生物医学研究领域实现了重大突破，显著拓展了生物医学研究的范围和深度。本发明在药物筛选和疾病诊断等关键领域开辟了全新的应用途径，提供了一种高效、精准且具有创新性的解决方案。

本发明授权一种基于OECT阵列的插拔式复合离子检测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于OECT阵列的插拔式复合离子检测器，其特征在于，所述检测器包括基板、源极线、半导体层、漏极线、封装层、离子驱动层、钠离子选择性膜、钾离子选择性膜、钙离子选择性膜及保护层；在具有三个平行微针凸起的基板表面设置有矩形条状的源极线，源极线紧贴基板上每个微针凸起顶端水平中心位置，沿基板上的微针凸起一侧向上垂直延伸，穿透基板，在基板另一端露出；在微针凸起顶端的源极线表面精确覆盖方形的半导体层，半导体层的宽度大于源极线的宽度；在半导体层中央表面，设置有漏极线，漏极线从半导体层表面起始，沿着基板微针凸起的一侧向上垂直延伸，漏极线穿透基板，在基板另一端露出；微针凸起顶端的源极线与漏极线相互垂直；漏极线的宽度小于半导体层的宽度，漏极线不完全覆盖或遮挡半导体部分；在基板的微针凸起顶端区域设置有封装层，封装层正中央设有一个方形孔，用以暴露位于漏极线与源极线相互垂直交叉位置的半导体层；三个平行微针凸起的基板通过设置源极线、半导体层、漏极线及封装层形成三个基本的OECT器件；在封装层的表面设置有离子驱动层，覆盖微针凸起顶端的工作区域；覆盖有离子驱动层的三个基本OECT器件外分别套有套筒状的钠离子选择性膜、钾离子选择性膜、钙离子选择性膜，形成三个具有选择性检测特定离子能力的OECT器件；在钠离子选择性膜、钾离子选择性膜、钙离子选择性膜的开口端，即套筒式结构的末端，设置环绕式的密封保护层；三个具有选择性检测特定离子能力的OECT器件设置密封保护层后形成一个多功能的OECT阵列；OECT采用垂直结构器件，沟道长度在1~10µm范围内可控调节。

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