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龙图腾网恭喜中国科学技术大学;合肥国家实验室申请的专利非晶介质薄膜的制备方法、非晶介质薄膜及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119663212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510179671.7，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权非晶介质薄膜的制备方法、非晶介质薄膜及应用是由王萌;邹小路;钟东勳;霍永恒;潘建伟设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本非晶介质薄膜的制备方法、非晶介质薄膜及应用在说明书摘要公布了：一种非晶介质薄膜的制备方法、非晶介质薄膜及应用，涉及光学镀膜领域，该非晶介质薄膜的制备方法包括：提供一个衬底，以氩气作为工作气体，以氧气作为反应气体，采用反应磁控溅射的方法在衬底表面上交替重复生长第一非晶介质层和第二非晶介质层，得到非晶介质薄膜；第一非晶介质层和第二非晶介质层的材料不同，在第一非晶介质层和第二非晶介质层的生长过程中，利用辅助离子源对衬底周围的氩气进行电离，并使电离得到的氩等离子体轰击衬底表面；其中，第一非晶介质层和第二非晶介质层采用间歇式生长的方式，间歇式生长的方式包括在完成预设层数的生长后，暂停预设时间段，并在暂停后继续生长，在预设时间段内，辅助离子源为关闭状态。

本发明授权非晶介质薄膜的制备方法、非晶介质薄膜及应用在权利要求书中公布了：1.一种非晶介质薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供一个衬底；以氩气作为工作气体，以氧气作为反应气体，采用反应磁控溅射的方法在所述衬底表面上交替重复生长第一非晶介质层和第二非晶介质层，得到非晶介质薄膜；所述第一非晶介质层和所述第二非晶介质层的材料不同，在所述第一非晶介质层和所述第二非晶介质层的生长过程中，利用辅助离子源对所述衬底周围的氩气进行电离，并使电离得到的氩等离子体轰击所述衬底表面；所述第一非晶介质层为氧化钽层，所述第二非晶介质层为氧化硅层；其中，所述第一非晶介质层和所述第二非晶介质层采用间歇式生长的方式，所述间歇式生长的方式包括在完成预设层数的生长后，暂停预设时间段，并在暂停后继续生长，在所述预设时间段内，所述辅助离子源为关闭状态；在完成预设层数的生长后，暂停预设时间段，包括：以生长一层所述第一非晶介质层和一层所述第二非晶介质层为一生长周期，在完成预设数量的生长周期的生长后，暂停预设时间段。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学;合肥国家实验室，其通讯地址为：230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。