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龙图腾网恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510179889.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法是由何正鸿;陶毅;田旭;陈泽设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该芯片封装结构包括衬底、支撑胶层、感应芯片、布线层、处理芯片、塑封体和第一导电柱，处理芯片贴装在布线层上，并连接至第二焊盘，实现了与感应芯片之间的电连接，能够将感应芯片和处理芯片直接堆叠设置，并且处理芯片能够直接与布线层连接，布线层通过台阶槽设置能够直接与感应芯片连接，因此无需在塑封体外重新布线，减小了芯片之间的传输路径，提升传输速度，进而提升芯片性能。并且，台阶槽设置，也提升了布线层、塑封体以及感应芯片之间的结合力，避免出现翘曲分层。

本发明授权芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：衬底；支撑胶层，所述支撑胶层设置在所述衬底上，并设置有感应凹槽；感应芯片，所述感应芯片设置在所述支撑胶层上，且所述感应芯片的正面设置有感应区和电性凸块，所述电性凸块接合至所述支撑胶层，所述感应区对应接合至所述感应凹槽；布线层，所述布线层设置在所述感应芯片的背面，并与所述电性凸块电连接，且所述布线层上设置有第一焊盘和第二焊盘；处理芯片，所述处理芯片贴装在所述布线层上，并连接至所述第二焊盘；塑封体，所述塑封体设置在所述布线层上，并包覆于所述处理芯片；第一导电柱，所述第一导电柱嵌设于所述塑封体，并连接至所述第一焊盘，且所述第一导电柱与所述处理芯片相间隔，并露出于所述塑封体；其中，所述感应芯片的背面的边缘位置设置有台阶凹槽，所述台阶凹槽露出所述电性凸块，所述布线层延伸至所述台阶凹槽的侧壁和底壁；所述台阶凹槽内具有第一台阶和第二台阶，所述第一台阶与所述衬底之间的距离大于所述第二台阶与所述衬底之间的距离，所述第二台阶上还设置有露出所述电性凸块的开孔，所述布线层覆盖所述第一台阶和所述第二台阶，并延伸至所述开孔中与所述电性凸块电性接触；所述第二焊盘设置在所述第一台阶上，所述处理芯片倒装贴合于所述感应芯片的背面，且所述处理芯片的边缘设置有第二导电柱，所述第二导电柱嵌设在所述塑封体中，并连接至所述第二焊盘；所述感应芯片的背面未设置有台阶凹槽的区域还设置有粘接胶层，所述处理芯片通过所述粘接胶层固定在所述感应芯片的背面。

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