买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜湖南融创微电子股份有限公司申请的专利抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119647371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510190964.5，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法和装置是由刘晔;刘祥远;陈强;祁勇;赖善坤;房盼攀设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法和装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法和装置。该方法包括：对SRAM编译器的底层子模块进行器件级单粒子闩锁效应仿真；根据仿真结果制定底层子模块的加固设计规则；根据加固设计规则优化和改进底层子模块，并将其制作成抗闩锁加固数据库；获取不同容量存储器中抗闩锁加固数据库的拼接规律，并利用高级编程语言描述该拼接规律；利用高级编程语言对抗闩锁加固数据库的底层子模块进行调用，从而生成不同容量的存储器。本方法在SRAM编译器设计初期，对底层子模块进行抗单粒子闩锁加固，既保证了SRAM编译器成本低、周期短、效率高、配置灵活的特点，又使SRAM编译器生成的存储器具有抗单粒子闩锁效应的性能。

本发明授权抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法，其特征在于，所述方法包括：对SRAM编译器的底层子模块进行器件级单粒子闩锁效应仿真；根据仿真结果制定底层子模块的加固设计规则；根据所述加固设计规则优化和改进所述底层子模块，并将其制作成抗闩锁加固数据库；获取不同容量存储器中抗闩锁加固数据库的拼接规律，采用高级编程语言描述所述拼接规律；所述拼接规律包括：不同容量存储器下不同底层子模块的名称、调用次数以及调用位置；利用高级编程语言对所述抗闩锁加固数据库的底层子模块进行调用，生成对应容量的抗闩锁加固SRAM存储器；其中，对SRAM编译器的底层子模块进行器件级单粒子闩锁效应仿真，包括：获取SRAM编译器的底层子模块所使用MOS管的工艺参数信息；根据所述工艺参数信息，对所述底层子模块所使用MOS管进行器件级建模，得到MOS管模型；根据所述MOS管模型确定MOS管与相邻阱接触之间的第一距离和MOS管与相邻阱之间的第二距离；调整距离所述第一距离和所述第二距离，对所述MOS管模型进行器件级单粒子闩锁效应仿真；获取所述MOS管模型有无发生单粒子闩锁效应的临界距离最大值和临界距离最小值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南融创微电子股份有限公司，其通讯地址为：410205 湖南省长沙市长沙高新开发区尖山路18号中电软件园二期第A5栋1层101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。