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龙图腾网恭喜中国科学院国家空间科学中心申请的专利一种易失性互锁存储电路空间充放电效应的评估方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510258895.7，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权一种易失性互锁存储电路空间充放电效应的评估方法及系统是由陈睿;袁润杰;韩建伟;梁亚楠设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种易失性互锁存储电路空间充放电效应的评估方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种易失性互锁存储电路空间充放电效应的评估方法及系统，属于空间充放电效应技术领域，方法包括：根据易失性互锁存储电路，依次获取正SESD脉冲内核阈值、第一SESD内核阈值和第二SESD内核阈值；将所述正SESD脉冲内核阈值、第一SESD内核阈值和第二SESD内核阈值代入所述最低SESD阈值表达式，计算得到最低SESD阈值；将所述最低SESD阈值代入所述SESD脉冲翻转阈值表达式，计算得到SESD脉冲翻转阈值，以评估易失性互锁存储电路的空间充放电诱发翻转效应。本发明提供全新且有效的方法以快速评估易失性互锁存储电路的抗空间充放电效应能力，具有重要的价值。

本发明授权一种易失性互锁存储电路空间充放电效应的评估方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种易失性互锁存储电路空间充放电效应的评估方法，其特征在于，包括以下步骤：根据易失性互锁存储电路，得到诱发内核存储电路数据翻转的最低电压对应的SESD脉冲翻转阈值表达式；获取SESD诱发电路数据翻转的路径，得到通过各路径诱发数据翻转的最低SESD阈值表达式；其中所述各路径包括从MOS晶体管栅极注入的第一路径和从MOS晶体管源极注入的第二路径；获取由MOS晶体管栅极注入存储电路导致存储节点由低电平变为高电平的正SESD脉冲内核阈值；根据存储电路的内核电源电压与噪声容限，计算由存储电路晶体管注入SESD脉冲诱发输出翻转的第一SESD内核阈值；根据存储电路的锁存结构的失调电压，计算由存储电路晶体管注入SESD脉冲诱发存储数据错误的第二SESD内核阈值；将所述正SESD脉冲内核阈值、第一SESD内核阈值和第二SESD内核阈值代入所述最低SESD阈值表达式，计算得到最低SESD阈值；将所述最低SESD阈值代入所述SESD脉冲翻转阈值表达式，计算得到SESD脉冲翻转阈值，以评估易失性互锁存储电路的空间充放电诱发翻转效应。

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