恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司胡连峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种电容器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910302712.1，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种电容器及其形成方法是由胡连峰设计研发完成，并于2019-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电容器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电容器的形成方法，包括以下步骤：提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；在通孔内沉积第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。采用本发明提供的电容器的形成方法制造出的电容器的重复率和成功率较高，且采用该方法制造出来的电容器，呈现立体三维结构，可有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。本发明还提供一种电容器，解决现有技术中电容器呈平板结构，因而电容值较小的问题。
本发明授权一种电容器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一金属层，在所述第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；在所述第一极板层图案的侧壁及所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧，沿远离所述第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；在所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；在所述通孔内沉积第二金属层，所述第二金属层分别与所述第二极板层图案和所述第一金属层接触，所述第一极板层图案和所述第二极板层图案通过所述第一金属层和所述第二金属层连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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