恭喜三星电子株式会社裴镇国获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括凸块结构的半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110676227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910309072.7，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权包括凸块结构的半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装是由裴镇国;郑显秀;柳翰成;李仁荣;李灿浩设计研发完成，并于2019-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括凸块结构的半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装在说明书摘要公布了：一种半导体芯片包括半导体衬底。电极焊盘设置在半导体衬底上。电极焊盘包括低k材料层。第一保护层至少部分地围绕电极焊盘。第一保护层包括位于其上部的第一开口。缓冲焊盘电连接到电极焊盘。第二保护层至少部分地围绕缓冲焊盘。第二保护层包括位于其上部的第二开口。柱层和焊料层顺序地堆叠在缓冲焊盘上。缓冲焊盘的厚度大于电极焊盘的厚度。第一开口在平行于半导体衬底的上表面的第一方向上的宽度等于或大于第二开口在第一方向上的宽度。
本发明授权包括凸块结构的半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有低k材料层；电极焊盘，设置在所述半导体衬底上；第一保护层，至少部分地围绕所述电极焊盘，所述第一保护层包括在其上部的第一开口；缓冲焊盘，所述缓冲焊盘接触所述电极焊盘和所述第一保护层，电连接到所述电极焊盘，并被配置为减轻施加到所述电极焊盘的应力；第二保护层，至少部分地围绕所述缓冲焊盘，所述第二保护层包括在其上部的第二开口；以及柱层和焊料层，顺序地堆叠在所述缓冲焊盘上，其中，所述缓冲焊盘的厚度大于所述电极焊盘的厚度，并且其中，所述第一开口在平行于所述半导体衬底的上表面的第一方向上的宽度等于或大于所述第二开口在所述第一方向上的宽度，其中，所述电极焊盘在所述第一方向上的宽度小于所述缓冲焊盘在所述第一方向上的宽度，其中，所述柱层在所述第一方向上的宽度小于所述缓冲焊盘在所述第一方向上的宽度，且大于所述电极焊盘在所述第一方向上的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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