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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910887415.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由于海龙;谭晶晶;荆学珍;郭雯设计研发完成，并于2019-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一金属层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层内具有暴露出第一金属层顶部表面的第一开口；采用第一溅射处理对第一开口底部暴露出的第一金属层表面进行轰击，使所述第一金属层表面的金属材料溅射到所述第一开口侧壁表面形成第一粘附层；采用第一金属选择性生长工艺在所述第一粘附层表面以及所述第一金属层暴露出的表面形成第二金属。在本发明的技术方案中，通过在第一开口侧壁表面形成第一粘附层，进而在第一粘附层的侧壁与第一金属层的表面形成第二金属层，以此提升第二金属层与第一开口的侧壁表面之间的结合性，有效的减小了外部的杂质进入到所述第一开口内造成金属污染。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一金属层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层内具有暴露出所述第一金属层顶部表面的第一开口；采用第一溅射处理对所述第一开口底部暴露出的所述第一金属层表面进行轰击，使所述第一金属层表面的金属材料溅射嵌入到所述第一开口侧壁形成第一粘附层，提升所述第一粘附层与所述第一开口的侧壁表面之间的结合性；采用第一金属选择性生长工艺在所述第一粘附层表面以及所述第一金属层暴露出的表面形成第二金属层，提升所述第二金属层与所述第一开口的侧壁表面之间的结合性；其中，所述衬底包括基底以及位于所述基底内的器件结构，所述第一金属层位于所述器件结构内；所述第二金属层顶部表面低于所述介质层顶部表面，所述半导体结构的形成方法还包括：进行一次或多次溅射生长工艺，在所述第二金属层表面和所述第一粘附层表面形成填充满所述第一开口的导电结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。