恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司季明华获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利晶圆对准标记、制作方法、晶圆对准装置及晶圆对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110367798.3，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权晶圆对准标记、制作方法、晶圆对准装置及晶圆对准方法是由季明华设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆对准标记、制作方法、晶圆对准装置及晶圆对准方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆对准标记、制作方法、晶圆对准装置及晶圆对准方法，该晶圆对准标记能够在正向偏置导通时产生自发射红外光，利用自发射红外光替代外部入射红外光，使用该晶圆对准标记进行对准时，由于红外光直接从晶圆内产生，避免了外部红外光从外延层入射至衬底时产生的光路损耗。该晶圆对准标记应用广泛，可以应用到功率MOS、IGBT、BCD及超结器件等半导体器件的制造工艺中。此外，与晶圆对准标记配合使用的晶圆对准装置结构简单，无需额外配置He‑Ne激光器，还可利用光源提高红外光的信噪比，在现有的光刻设备中具有较高的实用价值。
本发明授权晶圆对准标记、制作方法、晶圆对准装置及晶圆对准方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆对准标记，其特征在于，所述晶圆对准标记包括红外发射器，所述红外发射器包括：衬底；局部埋入层，形成于所述衬底上；外延层，形成于所述衬底及所述局部埋入层上；其中，所述衬底、局部埋入层及外延层相互之间形成至少一个pn结，以构成所述红外发射器，且通过所述红外发射器产生自发射红外光进行对准。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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