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龙图腾网恭喜深圳市亚尔讯科技有限公司申请的专利一种硅基电阻及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630003B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510149962.1，技术领域涉及：H10D1/47；该发明授权一种硅基电阻及其制造方法是由罗正军设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基电阻及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种硅基电阻及其制造方法，该方法包括获取电阻衬底以及电阻衬底的材料数据，根据材料数据计算得到待制造电阻的电阻值，材料数据包括电阻衬底的电阻率、长度和面积；对电阻衬底依次进行清洗和氧化处理，得到氧化衬底；对氧化衬底依次进行光刻、硼注入和清洗处理，得到衬底硅片；对衬底硅片的正面依次进行金属蒸发、金属光刻、金属腐蚀、金属去胶和合金处理，得到待贴膜硅片；对待贴膜硅片依次进行贴膜、腐蚀和金属蒸发处理，得到与电阻值相同的硅基电阻。通过该硅基电阻的制造方法制造硅基电阻，成本低且制造的硅基电阻是采用贴片封装的，使得硅基电阻的占空面积小，解决现在电阻存在电阻面积大、制造成本高且加工工艺复杂的问题。

本发明授权一种硅基电阻及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基电阻的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：获取电阻衬底以及所述电阻衬底的材料数据，根据所述材料数据计算得到待制造电阻的电阻值，所述材料数据包括电阻衬底的电阻率、长度和面积；对所述电阻衬底依次进行清洗和氧化处理，得到氧化衬底；对所述氧化衬底依次进行光刻、硼注入和清洗处理，得到衬底硅片；对所述衬底硅片的正面依次进行金属蒸发、金属光刻、金属腐蚀、金属去胶和合金处理，得到待贴膜硅片；对所述待贴膜硅片依次进行贴膜、腐蚀和金属蒸发处理，得到与所述电阻值相同的硅基电阻；对所述衬底硅片的正面依次进行金属蒸发、金属光刻、金属腐蚀、金属去胶和合金处理，得到待贴膜硅片包括：对所述衬底硅片的正面金属钛和铝进行蒸发处理，得到第一硅片；对所述第一硅片依次进行涂胶、前烘、对位、显影、定影和坚膜处理，得到第二硅片；对所述第二硅片依次进行正面金属铝腐蚀、金属钛腐蚀和采用EDTA腐蚀液进行晶片表面处理，得到第三硅片；对所述第三硅片的正面金属采用去胶工艺进行处理，得到第四硅片；采用第四温度和合金时间对所述第四硅片的金属层进行合成，得到待贴膜硅片；对所述待贴膜硅片依次进行贴膜、腐蚀和金属蒸发处理，得到与所述电阻值相同的硅基电阻包括：对所述待贴膜硅片的正面进行贴膜后，得到贴膜硅片；对所述贴膜硅片的背面金属采用腐蚀工艺进行腐蚀，得到待蒸发硅片；对所述待蒸发硅片的背面金属依次进行金属钛、金属镍和金属银蒸发处理，得到与所述电阻值相同的硅基电阻。

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