恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社西川俊幸获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010798554.6，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权半导体装置是由西川俊幸;菅原秀人设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式的半导体装置具备：包含n型杂质的III‑V族半导体层；第1导电层，所述第1导电层设置于III‑V族半导体层上，包含Ti钛及可成为III‑V族半导体层的p型杂质的第1元素，且具有第1区域和第1元素浓度高于第1区域的第2区域；和设置于第1导电层上的第2导电层。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具备：III-V族半导体层，所述III-V族半导体层包含n型杂质；第1导电层，所述第1导电层设置于所述III-V族半导体层上，包含Ti钛及Zn锌，且具有第1区域和Zn锌的浓度高于所述第1区域的第2区域；和第2导电层，所述第2导电层设置于所述第1导电层上，且包含Au金。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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