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龙图腾网恭喜厦门大学申请的专利一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111879796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010798704.3，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法是由廖洪钢;邓俊先;江友红设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法。所述芯片的下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗为中心，且在大于导电金属薄膜的外边缘区域内，硅腐蚀掉后留有孔洞，支撑层覆盖在孔洞的上方；导电金属薄膜置于孔洞上的支撑层上，冷冻层除接触电极区域的上方覆盖绝缘层；中心视窗上均有多个小孔。所述芯片具有微区快速冷冻，分辨率高，样品漂移率低的优点。

本发明授权一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种透射电镜高分辨原位液相冷冻芯片，其结构为上片和下片通过金属键合层组合，其中上片和下片均分为正面和背面，上片的正面直接与下片的正面通过金属键合层粘结，自封闭形成一个超薄的腔室；所述上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片，上片设置有两个注样口和一个中心视窗1，其特征在于，下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗2；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗2的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗2；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗2为中心，且在大于导电金属薄膜的外边缘区域内，硅腐蚀掉后留有孔洞，支撑层覆盖在孔洞的上方；导电金属薄膜置于孔洞上的支撑层上，冷冻层除接触电极区域的上方覆盖绝缘层；所述上片的面积略小于下片的面积，上片的中心视窗1与下片的中心视窗2对齐，中心视窗1和中心视窗2上均有多个小孔；所述上片的制备方法为，S1.利用光刻工艺，将中心视窗图案从光刻掩膜版转移到两面带有氮化硅或氧化硅层的Si100晶圆A，然后在正胶显影液中显影得到晶圆A-1；S2.利用反应离子刻蚀工艺，在所述晶圆A-1的正面的氮化硅层上刻蚀出中心视窗，然后将晶圆A-1的正面朝上放入丙酮浸泡，最后用大量去离子水冲洗，去除光刻胶，得到晶圆A-2；S3.利用紫外激光直写工艺，将中心视窗的小孔图案从光刻掩膜版转移到晶圆A-2的正面，然后在正胶显影液中显影，再用去离子水冲洗清洗表面，得到晶圆A-3；S4.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆A-3的背面的小孔处的氮化硅厚度刻蚀至10nm-15nm，然后将晶圆A-3的正面朝上先后放入丙酮中浸泡，最后用丙酮冲洗，去掉光刻胶，得到晶圆A-4；S5.将晶圆A-4的背面朝上放入氢氧化钾溶液中进行湿法刻蚀，刻蚀直至正面只留下薄膜窗口，取出晶圆A-4用大量去离子水冲洗，得到晶圆A-5；S6.利用光刻工艺，将键合层图案从光刻掩膜版转移到晶圆A-5的正面，然后在正胶显影液中显影，再用去离子水冲洗清洗表面，得到晶圆A-6；S7.利用热蒸发镀膜工艺，将晶圆A-6蒸镀金属键合材料形成金属键合层，得到晶圆A-7；S8.将晶圆A-7进行激光划片，分成独立芯片即为上片。

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