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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242455B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010965478.3，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法是由胡伟达;陈允枫;王芳;王振;王鹏;汪洋;李庆;何家乐;谢润章;张莉丽;陈效双;陆卫设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法。所述探测器结构包括衬底、介质层、石墨烯层、二硫化钼层、黑磷层和金属源、漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的石墨烯、二硫化钼和黑磷依次转移到具有介质层的衬底上，运用电子束曝光和热蒸发等工艺分别在黑磷和石墨烯上制作金属源、漏电极，形成了垂直结构的范德瓦尔斯单载流子红外光电探测器。利用二维材料丰富的能带结构和独特的物理特性，设计了多子阻挡的非对称势垒能带结构，可以对暗电流进行有效的抑制，进而实现了中波红外的室温黑体探测、偏振探测和红外成像。该探测器具有室温工作、多子阻挡、中波红外响应、灵敏度高、响应快及黑体探测等特点。

本发明授权一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器，包括衬底（1），SiO2介质层（2），石墨烯层（3），二硫化钼层（4），源极（5），黑磷层（7），漏极（6），其特征在于：所述的探测器的结构为：P型Si衬底（1）上有SiO2介质层（2），石墨烯层（3）局部覆盖在SiO2介质层（2）上，在石墨烯层（3）一端覆盖有二硫化钼层（4），在石墨烯层（3）另一端有源极（5），黑磷层（7）覆盖在二硫化钼层（4）上及未与石墨烯层（3）接触的SiO2介质层（2）部分，且黑磷层（7）和石墨烯层（3）没有接触,漏极（6）位于黑磷层（7）上；所述的衬底（1）是P型重掺杂的Si衬底；所述的SiO2介质层（2）厚度为280±10纳米；所述的石墨烯（3）的厚度是5~10纳米；所述的二硫化钼（4）厚度是10~20纳米；所述的源极（5）为Cr和Au电极，Cr在石墨烯层上厚度为15纳米，Au在Cr上厚度为75纳米；所述的黑磷层（7）厚度是40-150纳米；所述的漏极（6）为Cr和Au电极，Cr在黑磷层上厚度为15纳米，Au在Cr上厚度为75纳米。

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