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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010994148.7，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权封装结构和其制造方法是由沈文维;黄松辉;侯上勇设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构和其制造方法在说明书摘要公布了：一种封装结构，包含电路衬底和半导体器件。半导体器件安置在电路衬底上且电连接到电路衬底。半导体器件包含内连线结构、半导体管芯、绝缘密封体、保护层以及电连接件。内连线结构具有第一表面和第二表面。半导体管芯安置在第一表面上且电连接到内连线结构。绝缘密封体密封半导体管芯且部分地覆盖内连线结构的侧壁。保护层安置在内连线结构的第二表面上且部分地覆盖内连线结构的侧壁，其中保护层与绝缘密封体接触。电连接件安置在保护层上，其中内连线结构通过多个电连接件电连接到电路衬底。

本发明授权封装结构和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，包括：电路衬底；半导体器件，安置在所述电路衬底上且电连接到所述电路衬底，其中所述半导体器件包括：内连线结构,具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述内连线结构由具有第一热膨胀系数数值的半导体第一材料所形成；半导体管芯，安置在所述第一表面上且电连接到所述内连线结构；绝缘密封体，安置在所述内连线结构的所述第一表面上且密封所述半导体管芯，其中所述绝缘密封体部分地覆盖所述内连线结构的侧壁；保护层，安置在所述内连线结构的所述第二表面上且部分地覆盖所述内连线结构的所述侧壁，其中所述保护层与所述绝缘密封体接触，并且所述保护层由具有第二热膨胀系数数值的第二材料所制成，其中所述第二热膨胀系数数值为在第二范围内的值，并且所述第二范围与所述第一热膨胀系数数值不重叠；以及多个电连接件，安置在所述保护层上，其中所述内连线结构通过所述多个电连接件电连接到所述电路衬底；以及底部填充物结构，安置在所述电路衬底与所述半导体器件之间，其中所述底部填充物结构覆盖所述多个电连接件且与所述绝缘密封体和所述保护层接触，其中所述底部填充物结构由不同于所述第二材料的第三材料所制成，并且具有第三热膨胀系数数值，其中所述第三热膨胀系数数值为在第三范围内的值，且所述第三范围与第二范围重叠。

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