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龙图腾网恭喜中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388685B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011119450.4，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法是由狄云翔;刘孟彬;韩凤芹设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法，传感器的晶圆级封装方法包括：提供第一衬底，第一衬底包括基底和设置于基底表面的介质层；在第一衬底上形成检测结构层，检测结构层包括检测结构；提供第二衬底，第二衬底具有第一空腔；在第一衬底上键合第二衬底，第一空腔朝向检测结构层；去除基底；提供第三衬底；在检测结构层远离第二衬底的一侧和或在第三衬底上设有至少部分围堰；通过围堰在检测结构层远离第二衬底的一侧键合第三衬底，围堰与第三衬底围成第二空腔，第二空腔朝向检测结构层。

本发明授权一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括基底和设置于所述基底表面的介质层；在所述第一衬底上形成检测结构层，所述检测结构层包括检测结构；提供第二衬底，所述第二衬底具有第一空腔；在所述第一衬底上键合所述第二衬底，所述第一空腔朝向所述检测结构层；去除所述基底；提供第三衬底；在所述检测结构层远离所述第二衬底的一侧和或在所述第三衬底上设有至少部分围堰；通过所述围堰在所述检测结构层远离所述第二衬底的一侧键合所述第三衬底，所述围堰与所述第三衬底围成第二空腔，所述第二空腔朝向所述检测结构层；形成电连接结构，所述电连接结构将所述检测结构层的电性引出，所述电连接结构的形成方法包括：在去除所述基底之后，图形化所述介质层，形成第一通孔，形成第一连接部，贯穿所述第一通孔电连接所述检测结构；键合所述第三衬底；图形化所述第三衬底，形成第二通孔，形成第二连接部，贯穿所述第二通孔电连接所述第一连接部；在形成所述第二连接部之后，形成第三连接部电连接所述第二连接部，所述电连接结构包括所述第一连接部、第二连接部和第三连接部。

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