恭喜株式会社LG新能源曹梁旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社LG新能源申请的专利MOSFET组件和使用其确定单个MOSFET的异常的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114375403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063123.3，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权MOSFET组件和使用其确定单个MOSFET的异常的方法是由曹梁旭设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSFET组件和使用其确定单个MOSFET的异常的方法在说明书摘要公布了：公开了一种电路及诊断方法，由此能够在电动车辆中单独诊断构成设置在二次电池组和其内具有二次电池组的电动车辆之间的MOSFET的多个内部FET的异常。在内部各个MOSFET单独导通截止的同时测量各个内部MOSFET两端的电压，并且与诊断表进行比较以确定其异常。
本发明授权MOSFET组件和使用其确定单个MOSFET的异常的方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET组件，该MOSFET组件包括多个MOSFET，所述多个MOSFET被配置为控制用于向车辆提供电力的二次电池组的正极端子与用于从所述二次电池组接收电力的所述车辆之间的连接，所述多个MOSFET彼此串联和并联连接，其中，所述MOSFET组件包括：MUX，该MUX具有连接至所述MOSFET组件的所述MOSFET的栅极的通道；驱动器模块，该驱动器模块是所述MUX的输入端；以及微控制器单元，该微控制器单元被配置为提供与控制所述MUX所需的通道的总数相对应的输入，其中，在使用时，所述微控制器单元被配置为：在顺序地接通断开所述MUX的所述通道的同时，测量各个个别MOSFET两端的电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社LG新能源，其通讯地址为：韩国首尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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