买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利多阈值逻辑功率器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011633780.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权多阈值逻辑功率器件及制备方法是由季明华;周东杨;邱金朋;李鹏;刘聪慧设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本多阈值逻辑功率器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多阈值逻辑功率器件及制备方法，通过接触掩膜版的图案化设计，可形成具有同一公共的沟槽栅极结构的接触结构阵列，且可使得接触结构阵列中的接触结构的第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有不同的横向间距，可实现多阀值逻辑状态，从而通过外接电路可实现功率器件具有多阈值逻辑状态以存储信息；本发明在没有添加任何额外的工艺步骤的前提下，即可制备具有不同阈值电压，且具有存储信息能力的多阈值逻辑功率器件，制备工艺简单、费用低，且应用范围较广；阈值电压的数目可灵活设计，以用来存储多位元的数字信息或模拟信息于功率器件中；内置多阈值电压的功率MOSFET和IGBT可用于大电流场合，且具有存储信息的能力。

本发明授权多阈值逻辑功率器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多阈值逻辑功率器件，其特征在于，所述多阈值逻辑功率器件包括：第一导电类型外延层；第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区位于所述第一导电类型外延层内；第一导电类型源区，所述第一导电类型源区位于所述第二导电类型阱区内；沟槽栅极结构，所述沟槽栅极结构包括栅极介电层及栅极导电层，所述沟槽栅极结构位于所述第一导电类型外延层内，且贯穿所述第一导电类型源区及第二导电类型阱区；接触结构，所述接触结构贯穿所述第一导电类型源区以与所述第二导电类型阱区相接触，且所述接触结构包括第二导电类型接触部；其中，所述接触结构构成接触结构阵列，所述接触结构阵列具有同一公共的所述沟槽栅极结构，且在所述接触结构阵列中所述第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有不同的横向间距；在所述接触结构阵列中，所述第二导电类型接触部的掺杂浓度随所述横向间距的增大而减小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。