恭喜闪迪技术公司S·普森瑟玛丹获国家专利权
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龙图腾网恭喜闪迪技术公司申请的专利使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113870935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110276241.9，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案是由S·普森瑟玛丹;张艳丽;H·曾;张鹏设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案在说明书摘要公布了：本发明题为“使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案”。本文公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器串，该存储器串包括串联连接的第一选择晶体管、存储器单元晶体管和第二选择晶体管；位线，该位线连接至该第一选择晶体管的一个端部；源极线，该源极线连接至该第二选择晶体管的一个端部；第一选择线，该第一选择线连接至该第一选择晶体管的栅极；字线，该字线连接至该存储器单元晶体管的栅极；第二选择线，该第二选择线连接至该第二选择晶体管的栅极；和控制电路，该控制电路被配置为在编程操作之前执行预充电操作，该预充电操作包括：向连接至该第二选择晶体管的该栅极的该第二选择线施加电压，以引起来自该第二选择晶体管的栅极诱生漏极泄漏。
本发明授权使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，所述存储器设备包括：存储器串，所述存储器串包括串联连接的第一选择晶体管、存储器单元晶体管和第二选择晶体管；位线，所述位线连接至所述第一选择晶体管的一个端部；源极线，所述源极线连接至所述第二选择晶体管的一个端部；第一选择线，所述第一选择线连接至所述第一选择晶体管的栅极；字线，所述字线连接至所述存储器单元晶体管的栅极；第二选择线，所述第二选择线连接至所述第二选择晶体管的栅极；和控制电路，所述控制电路被配置为在编程操作之前执行预充电操作，所述预充电操作包括：向连接至所述第二选择晶体管的所述栅极的所述第二选择线施加负电压，以引起来自所述第二选择晶体管的栅极诱生漏极泄漏。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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