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龙图腾网恭喜邱志威申请的专利半导体超薄堆叠结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376938B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110544381.X，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体超薄堆叠结构的制造方法是由邱志威设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体超薄堆叠结构的制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体超薄堆叠结构的制造方法，包含以离子注入形成停止层结构于半导体基板内，再于半导体基板的主动面设置电气元件及内连层，以形成半导体晶圆；将两半导体晶圆的内连层相对且上下接合在一起；以背面研磨及薄化制程自上方半导体晶圆的背面去除上方半导体晶圆的部分半导体基板及停止层结构，使上方半导体晶圆形成薄化半导体晶圆，之后逐一在薄化半导体晶圆进行另一半导体晶圆的接合、背面研磨及薄化制程，而逐一往上堆叠另一薄化半导体晶圆，最后对最下方半导体晶圆进行背面研磨及薄化制程。此制造方法可堆叠多层薄化半导体晶圆，满足高积集度要求。

本发明授权半导体超薄堆叠结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体超薄堆叠结构的制造方法，其特征在于，包含：制造多个半导体晶圆，选择该些半导体晶圆其中之一作为底层的一第一半导体晶圆，其他部分的该些半导体晶圆则作为待堆叠的一第二半导体晶圆及至少一第三半导体晶圆，每一该些半导体晶圆的制造步骤包含：提供一半导体基板，具有相对的一主动面及一背面；形成一停止层结构于该半导体基板内，将该半导体基板分为一基板第一部分及一基板第二部分，其中该基板第一部分位于该停止层结构及该主动面之间，该基板第二部分位于该停止层结构及该背面之间，该停止层结构至少包含一氮化硅层，该氮化硅层的制造包含先于该半导体基板的一第一深度进行一氮离子注入制程，接着进行一高温处理制程，使该氮离子注入的区域形成该氮化硅层；以及于该主动面设置多个电气元件以及一内连层，该内连层包含多个互连接点，并于该基板第一部分设置多个导电结构连接该内连层及该停止层结构；将该第二半导体晶圆相对于该第一半导体晶圆倒装，使该第一半导体晶圆的该内连层及该第二半导体晶圆的该内连层相对且以一混合键合技术接合在一起；进行一第一背面研磨制程，自该第二半导体晶圆的该背面进行研磨，以移除该第二半导体晶圆的该基板第二部分的一部分；进行一第一薄化制程，以形成一薄化第二半导体晶圆；进行一第二背面研磨制程，自该第一半导体晶圆的背面进行研磨，以移除该第一半导体晶圆的该基板第二部分的一部分；以及进行一第二薄化制程，以形成一薄化第一半导体晶圆，其中，该第一薄化制程及该第二薄化制程包含：一基板去除步骤，移除剩余的该基板第二部分，以显露该停止层结构；以及一停止层去除步骤，移除该停止层结构，以显露该基板第一部分及该些导电结构。

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