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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于硅穿孔沉积的扩展腔室的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137873B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180059641.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权用于硅穿孔沉积的扩展腔室的方法和设备是由D·冈瑟;宋佼;K·N·萨万戴安;I·H·怀索克;A·C-T·陈设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于硅穿孔沉积的扩展腔室的方法和设备在说明书摘要公布了：一种设备利用具有大约400毫米的晶片到靶材距离的物理气相沉积PVD处理腔室在硅穿孔TSV结构上沉积钽膜。PVD处理腔室包括配置有双磁体源补偿的源。PVD腔室还包括：在腔室主体外部紧邻源的上方电磁体组件；源中的磁控管组件，所述磁控管组件包括具有双半径轨道的双磁体；腔室主体内的屏蔽件；以及多个接地回路，所述接地回路围绕基板支撑组件的周边对称地间隔开并被配置成在基板支撑组件和屏蔽件之间提供RF接地返回路径。

本发明授权用于硅穿孔沉积的扩展腔室的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种用于在硅穿孔TSV上沉积钽膜的设备，包括：物理气相沉积PVD处理腔室，所述PVD处理腔室具有源和包括处理容积的腔室主体，所述源具有定位在所述处理容积的顶部上方的双磁体，所述PVD处理腔室具有350毫米至450毫米的晶片至靶材距离，其中所述源被配置成当存在靶材时，在垂直方向上移动所述源的所述双磁体，以恒定地保持所述双磁体的底部表面与所述靶材的底部表面之间的距离；第一电磁体组件，所述第一电磁体组件在所述腔室主体外部比所述处理腔室的基板支撑组件更靠近所述处理腔室的所述源；磁控管组件，所述磁控管组件在所述源中，所述磁控管组件包括所述双磁体，所述双磁体的第一磁体以第一半径围绕中央轴旋转且所述双磁体的第二磁体以第二半径围绕所述中央轴旋转，其中所述第一半径大于所述第二半径；屏蔽件，所述屏蔽件在所述腔室主体内；以及多个接地回路，所述多个接地回路围绕基板支撑组件的周边对称地间隔开，所述多个接地回路被配置成提供所述基板支撑组件与所述屏蔽件之间的RF接地返回路径。

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