恭喜北京北方华创微电子装备有限公司兰玥获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利磁控溅射设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115704087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110890836.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权磁控溅射设备是由兰玥设计研发完成，并于2021-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁控溅射设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种磁控溅射设备，其包括：工艺腔室；靶材，设置于所述工艺腔室的顶部；承载基座，用于承载晶圆，所述承载基座设置于所述工艺腔室内，沿所述工艺腔室的高度方向，所述承载基座相对设置于所述靶材的下方；导向装置，设置于所述靶材与所述承载基座之间，所述导向装置被配置为在所述工艺腔室内形成电场或磁场，所述电场或磁场用于调整靶材溅射出的粒子的运动轨迹，以使所述粒子趋于垂直沉积于所述晶圆上。上述方案能够优化靶材溅射出的粒子的沉积质量。
本发明授权磁控溅射设备在权利要求书中公布了：1.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括：工艺腔室；靶材，设置于所述工艺腔室的顶部；承载基座，用于承载晶圆，所述承载基座设置于所述工艺腔室内，沿所述工艺腔室的高度方向，所述承载基座相对设置于所述靶材的下方；导向装置，设置于所述靶材与所述承载基座之间，所述导向装置被配置为在所述工艺腔室内形成磁场，所述磁场用于调整靶材溅射出的粒子的运动轨迹，以使所述粒子趋于垂直沉积于所述晶圆上；所述导向装置包括多个主体件和至少一个磁场形成组件，沿所述工艺腔室的高度方向，多个所述主体件由上至下依次间隔设置，每个所述主体件开设有多个通孔，且相邻两个所述主体件的所述多个通孔一一对应，所述磁场形成组件用于在相邻的两个所述主体件之间形成子磁场。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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