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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利电熔丝单元阵列的版图布局方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114357926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446221.8，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权电熔丝单元阵列的版图布局方法是由张黎;晏颖设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本电熔丝单元阵列的版图布局方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电熔丝单元阵列的版图布局方法，包含：电熔丝单元对结构，其包含，二个电熔丝单元；第一电熔丝单元中包含第一晶体管和第一电熔丝单元；第二电熔丝单元中包含第二晶体管和第二电熔丝单元；第一电熔丝单元跨接在第一晶体管和第二晶体管上；第二电熔丝单元跨接在第二晶体管和第一晶体管上。据此，本发明能够达到的技术效果在于，能够在各项性能不变的情况下比现有技术的版图面积减小。

本发明授权电熔丝单元阵列的版图布局方法在权利要求书中公布了：1.一种电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，包含：电熔丝单元对结构，其包含，二个电熔丝晶体管单元；第一电熔丝晶体管单元包含：第一晶体管和第一电熔丝单元；第一电熔丝单元包含第一阳极垫、第一熔丝、第一阴极垫，第一熔丝两端连接第一阳极垫和第一阴极垫；第二电熔丝晶体管单元包含：第二晶体管和第二电熔丝单元；第二电熔丝单元包含第二阳极垫、第二熔丝、第二阴极垫，第二熔丝两端连接第二阳极垫和第二阴极垫；第一电熔丝单元跨接在第一晶体管和第二晶体管上；第二电熔丝单元跨接在第二晶体管和第一晶体管上；第一阳极垫-第一熔丝-第一阴极垫平行于第二阴极垫-第二熔丝-第二阳极垫沿第一方向布置，在垂直于第一方向的第二方向上，第一阳极垫对准第二阴极垫，第一阴极垫对准第二阳极垫；第一阳极垫、第二阳极垫采用第三金属层形成；第一熔丝、第二熔丝采用第二金属层形成；第一阴极垫、第二阴极垫采用第二金属层形成；第一阳极垫通过第一连通孔从第三金属层连接到第一熔丝的第二金属层；第二阳极垫通过第二连通孔从第三金属层连接到第二熔丝的第二金属层；第二金属层沿着第一方向布置，第三金属层沿着第二方向布置；第一位线、第二位线分别通过第三金属层形成；字线通过第二金属层形成；形成的等效电路，包含：位于第三金属层的第一位线与位于第三金属层的第一阳极垫相连，通过第一连通孔与位于第二金属层的第一熔丝相连，再连接到位于第二金属层的第一阴极垫；位于第三金属层的第二位线与位于第三金属层的第二阳极垫相连，通过第二连通孔与位于第二金属层的第二熔丝相连，再连接到位于第二金属层的第二阴极垫；第一阳极垫位于第一晶体管处，第一阴极垫位于第二晶体管处；第二阳极垫位于第二晶体管处，第二阴极垫位于第一晶体管处；第一晶体管和第二晶体管交叉对称布置；第一晶体管、第二晶体管的源极、漏极、栅极都采用第二金属层形成连接；形成的等效电路，还包含：第一晶体管的源极或漏极连接第一阴极垫，第一晶体管的漏极或源极接地，第一晶体管的栅极连接字线；第二晶体管的源极或漏极连接第二阴极垫，第二晶体管的漏极或源极接地，第二晶体管的栅极连接字线。

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