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龙图腾网恭喜美盛隆制罐(惠州)有限公司;西安理工大学申请的专利一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114415468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111665445.8，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法是由曾阿梅;陈静;方长青;程有亮设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法。本发明采用聚二甲基硅氧烷作为压印软模板，紫外光刻胶LOR胶两层胶系统，通过纳米压印光刻技术制备出微观形貌、尺寸可控的纳米结构图案。该方法简单易行、成本低、效率高，并且可以制备大面积的纳米结构图案。本发明制备的纳米结构图案除了可以用于产生智能防伪微纳米结构色，在光电器件以及仿生结构的制备中也具有广泛的应用前景。

本发明授权一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米压印技术的微纳米结构图案的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1对基底表面进行预处理；2在基底表面旋涂LOR胶，加热固化，形成底层；LOR胶固化温度为90～120℃；所述LOR胶为聚甲基丙烯酸酯；3在底层上旋涂紫外光刻胶，经过加热处理；紫外光刻胶的加热温度为80～120℃；所述紫外光刻胶为Amonil光刻胶；4聚二甲基硅氧烷软模板的制备，将聚二甲基硅氧烷软模板放置在涂覆有光刻胶的基底上，经紫外曝光处理后，将软模板与基底分离，得到印有微纳米结构图案的涂覆有光刻胶的基底；5采用反应离子刻蚀技术刻蚀紫外光刻胶，露出LOR胶底层；利用反应离子刻蚀技术刻蚀紫外光刻胶的条件为：刻蚀气体为CHF3与O2；CHF3与O2流量比为4～10：1～5；刻蚀功率为12～30W，压强为5～7mtorr；6以紫外光刻胶为掩膜层，刻蚀LOR胶；采用反应离子刻蚀技术刻蚀LOR胶的条件为：刻蚀气体为O2；O2的流量为10～30sccm；刻蚀功率为20～50W，压强为20～50mtorr；7以紫外光刻胶和LOR胶为掩膜，刻蚀基底，将微纳米结构图案转移到基底上。

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