恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司陈宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210434954.8，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体器件及其制作方法是由陈宏设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法。包括：提供衬底，衬底上形成有介质层，衬底包括芯片功能区和切割道区。利用同一光罩对介质层执行光刻工艺，形成位于切割道区的划片凹槽和位于芯片功能区的窗口，窗口暴露出部分顶层金属层作为焊盘。形成隔离层，隔离层至少覆盖划片凹槽的侧壁。本发明利用同一光罩，形成划片凹槽和窗口，节省了一道光罩。在切割道区形成划片凹槽，使切割的切口更小；沿着划片凹槽的深度方向切割半导体器件以完成划片，尽可能避免划片时机械应力损伤到芯片功能区，降低了划片时由于切割机械应力产生芯片崩边及芯片破损的概率。隔离层至少覆盖划片凹槽的侧壁，防止介质层中的元素扩散造成污染。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述衬底包括芯片功能区和切割道区，所述芯片功能区的所述介质层中嵌设有至少一层金属层；利用同一光罩对所述介质层执行光刻工艺，形成位于所述切割道区的划片凹槽和位于所述芯片功能区的窗口，所述窗口暴露出所述至少一层金属层中的部分顶层金属层作为焊盘；其中，所述光罩中形成有对应所述划片凹槽和所述窗口的图形；所述划片凹槽的宽度小于所述切割道区的宽度；形成隔离层，所述隔离层至少覆盖所述划片凹槽的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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