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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种减少闪烁噪声上变频的翻转互补低噪声压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114900129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210545578.X，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种减少闪烁噪声上变频的翻转互补低噪声压控振荡器是由徐志伟;李泉涌;陈姜波;杜立康;王圣杰;宋春毅设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少闪烁噪声上变频的翻转互补低噪声压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种减少闪烁噪声上变频的翻转互补低噪声压控振荡器。在雷达技术应用中，压控振荡器的电压频率增益过大，使得低频噪声影响了相位噪声。本发明通过提出的翻转互补结构以及尾电感，使得压控振荡器获得更大的跨导，抑制了噪声，实现减少闪烁噪声上变频的功能。与传统技术使用单个互耦对相比，本发明提出的翻转互补结构对电流进行复用，提升性能的同时节省整体功耗，且结构简单；与传统的互补结构相比，本发明提出的压控振荡器减少了闪烁噪声上变频，改善了相位噪声。基于本发明可进一步产生IQ正交差分信号的电路，以及衬底注入形式的翻转互补低噪声压控振荡器和对应的产生IQ正交差分信号的电路。

本发明授权一种减少闪烁噪声上变频的翻转互补低噪声压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种减少闪烁噪声上变频的翻转互补低噪声压控振荡器，其特征在于包括：电感L1，电感L2，电感L3，电容阵列C1，可变电容C2，电容C3，电容C4，可变电容C5，电容阵列C6，NMOS管M1，NMOS管M2，PMOS管M3，PMOS管M4，以及端口OUTP，端口OUTN；电感L1和电容阵列C1，可变电容C2并联，NMOS管M1和NMOS管M2组成NMOS互耦对，NMOS管M1的漏极与NMOS管M2的栅极相接再与电感L1的a端连接，NMOS管M2的漏极与NMOS管M1的栅极相接再与电感L1的b端连接；电感L3和可变电容C5，电容阵列C6并联，PMOS管M3和PMOS管M4组成PMOS互耦对，PMOS管M3的漏极与PMOS管M4的栅极相接再与电感L3的a端连接，PMOS管M4的漏极与PMOS管M3的栅极相接再与电感L3的b端连接；NMOS管M1和NMOS管M2的源级相接再与电感L2的a端连接，PMOS管M3和PMOS管M4的源级相接再与电感L2的b端连接，电容C3的a端与NMOS管M1的漏极连接，电容C3的b端与PMOS管M3的漏极连接，电容C4的a端与NMOS管M2的漏极连接，电容C4的b端与PMOS管M4的漏极连接，电感L1的中心抽头接供电电源，电感L3的中心抽头接地，端口OUTP与NMOS管M1的漏极连接，端口OUTN与NMOS管M2的漏极连接，差分信号从端口OUTP，端口OUTN流出；其中，NMOS管M1和NMOS管M2相同，电容阵列C1和电容阵列C6相同，可变电容C2和可变电容C5相同，电容C3和电容C4相同，PMOS管M3和PMOS管M4相同。

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