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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第三十三研究所申请的专利一种石墨烯吸波超表面去耦设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020991B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210634377.7，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种石墨烯吸波超表面去耦设计方法是由赵亚娟;郭亚红;李鑫;董春雨;张小刚;鞠军燕设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种石墨烯吸波超表面去耦设计方法在说明书摘要公布了：本发明属于去耦设计方法技术领域，具体涉及一种石墨烯吸波超表面去耦设计方法，包括下列步骤：基于阻抗匹配理论，建立组合结构吸波材料的物理模型；计算吸波层的方阻值；利用CST软件实现吸波材料几何结构建模；获得吸波特性仿真参数；利用化学气相沉积CVD法制备石墨烯，利用激光刻蚀技术制备超表面吸波材料样品；测试吸波特性和芯片间隔离度。本发明基于阻抗匹配特性，研究不同电导率石墨烯薄膜电磁损耗特性，提高电磁波吸收率，采用十字型和四凹字组合结构，利用仿真软件实现超表面单元优化设计，实现双频谐振；利用陶瓷制备化学性能稳定的超薄介质层。

本发明授权一种石墨烯吸波超表面去耦设计方法在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯吸波超表面去耦设计方法，其特征在于：包括下列步骤：S1、基于阻抗匹配理论，建立组合结构吸波材料的物理模型；所述S1中的组合结构吸波材料的物理模型包括介质层、吸波层，所述吸波层蚀刻在介质层上形成超表面单元；所述超表面单元包括第一单元和第二单元，所述第一单元为十字形结构，所述第二单元为四凹字结构，所述第一单元的十字形结构与第二单元的四凹字结构相配合，四个所述第一单元的十字形结构分别插接在第二单元四凹字结构的四个凹槽内；S2、计算吸波层的方阻值；S3、利用CST软件实现吸波材料几何结构建模；所述S3中利用CST软件实现吸波材料几何结构建模的方法为：利用CST电磁仿真软件建模，针对两个或多个芯片与超表面吸波材料空间布局，设计空间电磁波传输路径，获得吸波材料对第三芯片空间电磁波的高效吸收，降低对第一芯片和第二芯片的电磁干扰，提升芯片间隔离度；S4、获得吸波特性仿真参数；S5、利用化学气相沉积CVD法制备石墨烯，利用激光刻蚀技术制备超表面吸波材料样品；所述S5中利用化学气相沉积CVD法制备石墨烯的方法为：包括下列步骤：S5.1、在低压条件下，采用铜作为金属催化剂基底，甲烷、长链烷烃作为碳源；S5.2、碳源在催化剂表面吸附；S5.3、碳源脱附；S5.4、将碳源进行脱氢分解；S5.5、碳原子在催化剂表面的迁移；S5.6、碳原子在表面直接成核并生长成石墨烯；S5.7、碳原子在高温下融入金属铜体相；S5.8、碳原子在金属体内扩散；S5.9、降温，碳原子从金属体相中析出，并在表面成和生长石墨烯；S6、测试吸波特性和芯片间隔离度。

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