恭喜长江存储科技有限责任公司张豆豆获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利对准标记的形成方法、掩膜版以及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115509083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210640392.2，技术领域涉及：G03F1/42；该发明授权对准标记的形成方法、掩膜版以及半导体结构是由张豆豆;邱瑾玉;陈媛设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本对准标记的形成方法、掩膜版以及半导体结构在说明书摘要公布了：该发明公开了一种对准标记的形成方法、掩膜版以及半导体结构，所述掩膜版包括至少一对准掩膜图案，所述对准掩膜图案包括多个第一对准图案和多个第二对准图案，多个所述第一对准图案和多个所述第二对准图案沿第一方向间隔交替分布，每个所述第一对准图案具有呈周期性排布的多个第一标记图案。根据本发明实施例的用于半导体自对准光刻工艺的掩膜版，使得形成的对准标记能够避免形成较强的反射光而干扰对准信号，对准信号强且对准精度高。
本发明授权对准标记的形成方法、掩膜版以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体自对准光刻工艺的掩膜版，其特征在于，包括至少一对准掩膜图案，所述对准掩膜图案包括多个第一对准图案和多个第二对准图案，多个所述第一对准图案和多个所述第二对准图案沿第一方向间隔交替分布，每个所述第一对准图案具有呈周期性排布的多个第一标记图案，所述第二对准图案具有多个第二标记图案，所述第一对准图案的图形密度与所述第二对准图案的图形密度不同，所述掩膜版还包括器件区掩膜图案，所述第二标记图案的图形宽度以及相邻所述第二标记图案之间的间距与所述器件区掩膜图案的图形宽度以及相邻所述器件区掩膜图案的间距相同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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