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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210742284.6，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权半导体工艺方法及半导体器件是由李宛桐;朱海云;蒋中伟设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体工艺方法及半导体器件，半导体工艺方法包括：S100、提供待刻蚀的晶圆，晶圆包括掩膜层、硅膜层和基层，掩膜层刻蚀有第一图形；S200、向反应腔室通入第一工艺气体，电离第一工艺气体形成第一等离子体，利用第一等离子体对硅膜层进行刻蚀，以在硅膜层上刻蚀形成与第一图形的轮廓形状相同，且预设深度的第二图形；S300、向反应腔室内通入第二工艺气体，第二工艺气体为惰性气体，电离第二工艺气体形成第二等离子体，利用第二等离子体轰击晶圆上的掩膜层；S400、向反应腔室通入第三工艺气体，第三工艺气体为氧气，电离第三工艺气体形成第三等离子体，利用第三等离子体刻蚀残留的掩膜层。

本发明授权半导体工艺方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括：S100、提供待刻蚀的晶圆，所述晶圆包括掩膜层130、硅膜层140和基层150，所述掩膜层130刻蚀有第一图形170；S200、向反应腔室通入第一工艺气体，电离所述第一工艺气体形成第一等离子体，利用所述第一等离子体对所述硅膜层140进行刻蚀，以在所述硅膜层140上刻蚀形成与所述第一图形170的轮廓形状相同，且预设深度的第二图形180；S300、向所述反应腔室内通入第二工艺气体，所述第二工艺气体为惰性气体，电离所述第二工艺气体形成第二等离子体，利用所述第二等离子体轰击所述晶圆上的掩膜层130；S400、向所述反应腔室通入第三工艺气体，所述第三工艺气体为氧气，电离所述第三工艺气体形成第三等离子体，利用所述第三等离子体刻蚀残留的所述掩膜层130。

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