恭喜杭州电子科技大学李领伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211325249.0，技术领域涉及：H01F1/01；该发明授权一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法是由李领伟;杨秉璋;王昕;张义坤设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料，化学通式为MnaAlbCocFedCreZf；其中Z为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn中的一种或多种，a、b、c、d、e、f表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f＝100，且16≤a≤24，16≤b≤24，10≤c≤30，15≤d≤28，18≤e≤30，0≤f≤8。本发明还公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料的制备方法，制备的磁制冷材料在240K‑360K温度范围内具有可逆大磁热效应。本发明采用上述无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料成本高、制冷温区窄和可逆性差的问题。
本发明授权一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料，其特征在于：化学通式为MnaAlbCocFedCreZf；其中Z为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn中的一种或多种，a、b、c、d、e、f表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f＝100，且19≤a≤21，18≤b≤21，13≤c≤18，18≤d≤24，22≤e≤26，0≤f≤4。
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