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龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利一种光突触晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115884604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211516563.7，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种光突触晶体管及其制作方法是由邵赫;李粤青;凌海峰;解令海;黄维设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光突触晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种光突触晶体管及其制作方法，以P3HT与钙钛矿纳米片共混作为半导体层，可以通过简单的溶液旋涂法制备，得益于钙钛矿纳米片的高载流子传输效率和高的光吸收系数，本器件在极低的工作电压‑0.0005V、较弱的光脉冲强度0.4mWcm‑2和较短的光照时间20ms下的单个突触功耗仅为0.053fJ，本发明提供的突触晶体管可以在弱光条件下实现低功耗。

本发明授权一种光突触晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光突触晶体管，其特征在于：自下而上包括：栅电极、栅绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极；所述有机半导体层由p-型有机聚合物半导体P3HT和钙钛矿纳米片CsPbBr3NPLs混合涂覆构成，所述有机半导体层的厚度为20~40nm；所述p-型有机聚合物半导体P3HT的分子量大于40000；所述钙钛矿纳米片CsPbBr3NPLs平均尺寸为50nm；其中P3HT与CsPbBr3NPLs的体积比为2:1；所述栅电极采用的材料为选自高掺杂硅、Al、Cu、Au、Ag或Pt中的一种；所述栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，所述栅绝缘层采用的材料为氧化硅和聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，所述氧化硅直接覆盖于栅电极上，PMMA层的厚度为20~40nm；所述源电极和漏电极生长在导电沟道两侧，其采用的材料为Cu、Au或Pt中的一种，其厚度为60~100nm，所述源电极和漏电极之间导电沟道的长为50~200μm，所述源电极和漏电极之间导电沟道的宽为1000~2000μm。

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