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龙图腾网恭喜中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种双异质原子交替掺杂的碳包覆磷酸铁锂正极材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511036.7，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种双异质原子交替掺杂的碳包覆磷酸铁锂正极材料的制备方法是由张斌;王政德;张俊彦设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双异质原子交替掺杂的碳包覆磷酸铁锂正极材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双异质原子交替掺杂的碳包覆磷酸铁锂正极材料的制备方法，是先在氩气和硫化氢气氛下，通过非平衡磁控溅射石墨靶，在磷酸铁锂材料表面得到硫掺杂碳薄膜；在氩气和磷化氢气氛下在材料表面得到磷掺杂碳薄膜，并通过硫、磷交替掺杂碳薄膜，稳定了材料的结构，增强了材料的导电性，保证了高掺杂量，解决了磷酸铁锂正极材料本征电子、离子电导率低的问题，有效提高磷酸铁锂电极材料的电子电导率和离子扩散速率，且制备过程不涉及液相、高温过程，有效的避免杂质的引入和晶粒长大，实验过程可控性高、效率高、污染小。本发明制备的在碳包覆磷酸铁锂正极材料制备成锂离子半电池后，表现出较好的倍率性能和稳定性。

本发明授权一种双异质原子交替掺杂的碳包覆磷酸铁锂正极材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双异质原子交替掺杂的碳包覆磷酸铁锂正极材料的制备方法，包括以下步骤：（1）将磷酸铁锂粉末烘干后放入磁控溅射装置真空镀膜室的旋转工架上，调整靶间距并抽真空至10-4Pa，开启旋转工架和石墨靶，使石墨靶与工架反方向匀速转动；（2）通入氩气、硫化氢气体，并调节腔室工作气压保持在1Pa，采用非平衡磁控溅射技术在磷酸铁锂粉末表面沉积硫掺杂碳薄膜；氩气和硫化氢气体的气流量比为5:1~2:1；所述硫掺杂碳薄膜厚度为3nm；（3）停止硫化氢气体通入，通入磷化氢气体，调整氩气和磷化氢气体的气流量比为10:1~6:1，并调节腔室气压至1Pa，采用非平衡磁控溅射技术沉积磷掺杂碳薄膜；所述磷掺杂碳薄膜厚度为2nm；石墨靶的电流为1A，输出功率600W；（4）交替重复步骤（2）、（3）的工艺，直至达到薄膜目标厚度为15nm；停止反应，即得双异质原子交替掺杂的碳包覆磷酸铁锂正极材料。

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