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龙图腾网恭喜重庆邮电大学申请的专利加载非均匀高阻抗表面的宽带双极化交叉偶极子天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211550166.1，技术领域涉及：H04L12/06；该发明授权加载非均匀高阻抗表面的宽带双极化交叉偶极子天线是由黄文;王冲设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本加载非均匀高阻抗表面的宽带双极化交叉偶极子天线在说明书摘要公布了：本发明涉及加载非均匀高阻抗表面的宽带双极化交叉偶极子天线，属于射频微波技术领域。本发明提出一种非均匀高阻抗表面结构，在调节谐振频率与反射相位带宽方面具有更多自由度，通过在交叉偶极子天线的下方加载非均匀高阻抗表面结构，实现了天线的宽带化和低剖面，因此本发明天线相较于传统双极化交叉偶极子天线具有更宽带的带宽和更低的剖面。其次，通过在交叉偶极子的其中一个臂内部挖槽，改善了天线在高频段的阻抗匹配，同时，在偶极子周围引入寄生贴片，进一步改善了天线在整个工作频段内的阻抗匹配，扩展了天线的工作带宽。最后，在天线周围加载金属接地墙，扩展天线的波束宽度。本发明双极化天线实现了宽带化、低剖面和较高的端口隔离度。

本发明授权加载非均匀高阻抗表面的宽带双极化交叉偶极子天线在权利要求书中公布了：1.加载非均匀高阻抗表面的宽带双极化交叉偶极子天线，其特征在于：该天线由两层结构组成，包括下层介质基板1和上层介质基板8，所述下层介质基板1和上层介质基板8之间相隔一定距离，由空气相隔；连接上层介质基板8的上表面和下表面的金属部分为内导体通孔20；所述下层介质基板1上表面设有金属，上表面金属部分包括16个正方形贴片2、24个相同的六边形3和16个等腰梯形4；下层介质基板1四个侧面设有金属接地墙，金属接地墙包括4个长方形贴片5；下层介质基板1的下方设有空气介质6，金属地板7位于空气介质的下方；所述上层介质基板8上表面和下表面分别设有金属，上表面金属部分包括一个位于θ＝﹢45°方位的第一偶极子9的左下臂10、一个位于θ＝﹣45°方位的第二偶极子11的右下臂12、长微带线13、短微带线14和窄微带线15；下表面金属部分包括一个位于θ＝﹢45°方位的第一偶极子9的右上臂16、一个位于θ＝﹣45°方位的第二偶极子11的左上臂17、四个相同的三角形寄生贴片18和宽微带线19；位于θ＝﹢45°方位的第一偶极子9由左下臂10和右上臂16组成；位于θ＝﹣45°方位的第二偶极子11由右下臂12和左上臂17组成；所述内导体通孔20有两个，孔壁没有镀铜；其中一个位于长微带线13上，另一个位于短微带线14上，圆形孔21有两个，孔壁有镀铜；其中一个位于短微带线14上，并且将短微带线14与上层介质基板8下表面的宽微带线19连通，另一个位于窄微带线15上，并且将窄微带线15与上层介质基板8下表面的宽微带线19连通；位于端口一的第一同轴线22的第一外导体23穿过金属地板7、下层介质基板1与位于θ＝﹣45°方位的第二偶极子11的左上臂17连接；位于端口二的第二同轴线24的第二外导体25穿过金属地板7、下层介质基板1、与位于θ＝﹢45°方位的第一偶极子9的右上臂16连接；位于端口一的第一同轴线22的第一内导体26经过长微带线13上的内导体通孔20和长微带线13与位于θ＝﹣45°方位的第二偶极子11的右下臂12连接，位于端口二的第二同轴线24的第二内导体27经过短微带线14上的内导体通孔20、短微带线14上的圆形孔21、宽微带线19、窄微带线15上的圆形孔21、窄微带线15与位于θ＝﹢45°方位的第一偶极子9的左下臂10连接；在所述所述下层介质基板1中，存在非均匀高阻抗表面结构，由非均匀高阻抗表面单元周期排列而成；非均匀高阻抗表面单元由正方形贴片2、等腰梯形4、下层介质基板1、空气介质6和金属地板7组成；均匀平面波入射到高阻抗表面结构表面时等效为一个单端口网络，其中Z0为自由空间中的波阻抗，Zs为表面阻抗。

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