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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116145230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310185380.X，技术领域涉及：C30B9/10；该发明授权自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法是由高伟;邰家劲;殷红设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法在说明书摘要公布了：自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法，属于单晶材料制备和半导体探测器领域。所述制备方法具体步骤包括：机械合金化制备硼源；高温熔融；偏析合成六方氮化硼；化学腐蚀剥离得到自支撑大面积六方氮化硼单晶。该方法通过预制硼源，以及在高温实验过程中将保护气体和反应气体分段通入，实现大面积六方氮化硼单晶的制备。目前对于六方氮化硼研究以及应用的过程中最主要的问题就是单晶尺寸不够大，质量不够高，无法实现商用，而该方法可以获得横向尺寸高达几厘米的六方氮化硼单晶，对于将来在六方氮化硼上进行商业应用具有重大意义，同时也对其他半导体材料或二维材料的合成、研究以及应用也有一定的启发。

本发明授权自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.自支撑大面积六方氮化硼单晶制备方法，其特征在于，所述六方氮化硼单晶为完整连续的自支撑大面积六方氮化硼单晶膜，整体晶面为（002），侧边为[1-100]和[11-20]方向，横向尺寸超过3cm，面积超过5cm2，厚度为5~100μm，单个晶畴横向尺寸1mm以上；透明度高，从短波红外到近紫外光波段透光率为85%以上；电绝缘性好，表面电阻率为1015Ω量级；所述制备方法包括：步骤一，机械合金化制备镍铬硼合金粉末：其中金属镍和铬按照1：0.1~1.5的质量比，两种金属和单质硼粉按照1：0.1~0.4的质量比；步骤二，高温熔融：将制备好的镍铬硼合金粉末迅速转移到高温坩埚中，将坩埚置于管式炉的加热温区，将炉管内抽至真空，通氢氩气混合气体至常压，重复3~5次；再在50~200sccm流量的氢氩气混合气氛下将炉内温度加热至1400~1700℃，待温度稳定后，保持1~4h；步骤三，偏析合成六方氮化硼：以1：0.5~1.2的气流量比通入氮气与氢氩混合气体，总流量为200~300sccm，以不高于6℃h的速度降温至1300~1600℃，自然冷却至室温，在合金块上表面合成六方氮化硼单晶膜；步骤四，化学腐蚀剥离得到自支撑大面积六方氮化硼单晶：将冷却后合金块放置于3：1体积比的浓盐酸和浓硝酸的混合溶液中加热，控制温度在40~60℃，直至上表面氮化硼膜自然脱落，得到完整连续的自支撑大面积六方氮化硼单晶膜。

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