恭喜重庆大学胡佳获国家专利权
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龙图腾网恭喜重庆大学申请的专利一种氢化镁-五氧化二钒@碳复合储氢材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116768150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310745955.9，技术领域涉及：C01B3/00；该发明授权一种氢化镁-五氧化二钒@碳复合储氢材料及其制备方法和应用是由胡佳;覃洋;陈玉安;潘复生设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氢化镁-五氧化二钒@碳复合储氢材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氢化镁‑五氧化二钒@碳复合储氢材料及其制备方法和应用，属于复合储氢材料的制备技术领域。本发明的氢化镁‑五氧化二钒@碳复合储氢材料MgH2‑V2O5@C，包括五氧化二钒@碳V2O5@C纳米材料粉末和氢化镁MgH2纳米材料粉末，其中五氧化二钒@碳V2O5@C纳米材料粉末包覆在氢化镁MgH2纳米材料粉末表面且五氧化二钒@碳V2O5@C纳米材料粉末的质量百分数为0.1～15wt.％。本发明的复合储氢材料MgH2‑V2O5@C由于V2O5@C催化剂的掺杂，显著提升了储氢性能。
本发明授权一种氢化镁-五氧化二钒@碳复合储氢材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氢化镁-五氧化二钒@碳复合储氢材料，其特征在于，所述氢化镁-五氧化二钒@碳复合储氢材料包括五氧化二钒@碳纳米材料粉末和氢化镁纳米材料粉末，其中所述五氧化二钒@碳纳米材料粉末包覆在氢化镁纳米材料粉末表面；五氧化二钒@碳纳米材料粉末的制备方法为：将刻蚀法合成的具有手风琴状的多层V2C纳米材料粉末进行插层和超声剥离得到少层V2C纳米材料，继续在二氧化碳气氛中于300~600℃下煅烧15~25h，获得五氧化二钒@碳纳米材料粉末；所述氢化镁-五氧化二钒@碳复合储氢材料中五氧化二钒@碳纳米材料粉末的质量百分数为0.1~15wt.%。
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