恭喜南开大学周经获国家专利权
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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利一种HZO铁电材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118007101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410004481.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种HZO铁电材料的制备方法是由周经;宁帅;罗锋设计研发完成，并于2024-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种HZO铁电材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种HZO铁电材料的制备方法，在基底上生长底电极，使用原子层沉积ALD在底电极上进行沉积，沉积完毕得非晶HZO薄膜，对HZO进行快速热退火，即得铁电薄膜，在退火过程中不需要顶电极辅助，即可获得鲁棒的铁电性。此外，通过在氧气下退火，将循环耐久性提高到了超1010个循环。通过优化HZO的生长工艺、退火工艺以及后续的电极层叠加方式，成功地提高了HZO的铁电极化和耐久性。该方法主要涉及到缺陷调控和界面工程技术，以改善HZO存在的缺陷，提高界面质量，从而降低漏电流和提高疲劳寿命。通过本方法，HZO薄膜展现出高达29μCcm2的剩余极化强度与超过3×1010的循环性，提升了HZO的铁电性能，为其在高性能电子器件中的应用提供了可能。
本发明授权一种HZO铁电材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种HZO铁电材料的制备方法，其特征在于：在基底上生长底电极，所述底电极为W，使用原子层沉积ALD在底电极上进行沉积，以四二乙氨基铪、四二乙氨基锆和H2O作为原料，四二乙氨基铪、四二乙氨基锆、H2O摩尔比为1:1:2，沉积完毕得非晶HZO薄膜，其中所述沉积的步骤中，载气为氮气，体系压强为0.17Torr，沉积温度为200℃，对HZO进行快速热退火，经过退火，得到多晶HZO铁电薄膜，其中，退火气氛为氧气，退火时间为10秒；其中退火过程中不需要顶电极辅助。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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