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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利立体氮化镓基CMOS反相器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118412354B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410197161.8，技术领域涉及：H10D84/05；该发明授权立体氮化镓基CMOS反相器及其制备方法是由刘新科;林锦沛;黄烨莹;蒋忠伟;黎晓华设计研发完成，并于2024-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本立体氮化镓基CMOS反相器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种立体氮化镓基CMOS反相器及其制备方法，CMOS反相器包括：立体衬底、在立体衬底的外表面间隔设置的若干器件、覆盖器件和立体衬底暴露的表面的互联介质层；互联介质层内部以及外部固定有若干互联金属；器件包括间隔设置的NMOS器件和PMOS器件，一互联金属电性连接NMOS器件的栅极与PMOS器件的栅极，且引出至互联介质层外；NMOS器件的源极通过一互联金属引出至互联介质层外；NMOS器件的漏极与PMOS器件的漏极电性连接。本发明中的CMOS反相器解放了CMOS反相器的热限制，通过立体衬底上间隔设置若干器件，形成了集成度高、功率密度大、电流密度大以及支持更高频率的CMOS反相器，使CMOS反相器的应用范围更广。

本发明授权立体氮化镓基CMOS反相器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.立体氮化镓基CMOS反相器，其特征在于，包括：立体衬底、在所述立体衬底的外表面间隔设置的若干器件、覆盖所述器件和所述立体衬底暴露的表面的互联介质层；所述立体衬底呈球体、多面体或圆柱体状，所述立体衬底采用金刚石或氮化硼衬底；所述互联介质层内部以及外部固定有若干互联金属；所述器件包括间隔设置的NMOS器件和PMOS器件，一所述互联金属电性连接所述NMOS器件的栅极与所述PMOS器件的栅极，且引出至所述互联介质层外；所述NMOS器件的源极通过一所述互联金属引出至所述互联介质层外；所述PMOS器件的源极通过一所述互联金属引出至所述互联介质层外；所述NMOS器件的漏极与所述PMOS器件的漏极电性连接；所述NMOS器件包括第一介质层、第一GaN缓冲层、p-GaN沟道层、至少两个n-GaN阱层、第一栅介质层、NMOS源极、NMOS漏极和NMOS栅极；所述第一介质层设置于所述立体衬底表面；所述第一GaN缓冲层设置于所述第一介质层上背离所述立体衬底一侧的表面；所述p-GaN沟道层设置于所述第一GaN缓冲层背离所述第一介质层一侧的表面；所述n-GaN阱层间隔设置于所述p-GaN沟道层背离所述第一GaN缓冲层一侧的表面；所述第一栅介质层覆盖于两所述n-GaN阱层之间且覆盖部分所述n-GaN阱层；所述NMOS源极和所述NMOS漏极分别设置于两所述n-GaN阱层表面；所述NMOS栅极设置于所述第一栅介质层表面。

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