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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118344185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410261845.X，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法是由王丽焕;冯翔宇;徐现刚设计研发完成，并于2024-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及生长半导体基底的制备，具体涉及一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法。包括如下步骤：将过渡层主料颗粒、第一烧结助剂、第一粘结剂及第一溶剂混合均匀形成过渡层悬浊液，将过渡层悬浊液置于基底表面形成第一预烧结层，然后进行第一真空烧结，使第一预烧结层形成过渡层；将碳化钽粉末、第二烧结助剂、第二粘结剂及第二溶剂混合均匀形成碳化钽层悬浊液，将表面制备所述过渡层的基底置于所述碳化钽层悬浊液中进行浸渍，然后将浸渍后的基底进行第二真空烧结，即得；本发明提供的制备方法能够有效解决现有碳化钽涂层制品易出现孔隙与裂纹等缺陷和生产成本过高的弊端。

本发明授权一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体生长的碳化钽涂层的制备方法，其特征是，包括如下步骤：将过渡层主料颗粒、第一烧结助剂、第一粘结剂及第一溶剂混合均匀形成过渡层悬浊液，将过渡层悬浊液置于基底表面形成第一预烧结层，然后进行第一真空烧结，使第一预烧结层形成过渡层；将碳化钽粉末、第二烧结助剂、第二粘结剂及第二溶剂混合均匀形成碳化钽层悬浊液，将表面制备所述过渡层的基底置于所述碳化钽层悬浊液中进行浸渍，然后将浸渍后的基底进行第二真空烧结，即得；其中，过渡层主料颗粒、第一烧结助剂、第二烧结助剂为非碳化钽的碳化物，过渡层主料颗粒的粒径大于碳化钽粉末的粒径；所述非碳化钽的碳化物包括HfC、TiC、WC中的一种或多种；第一粘结剂为酚醛树脂、环氧树脂、石墨胶、聚乙烯醇、有机硅树脂、丙烯酸酯、聚氯乙烯中的一种或几种的混合物；所述第二粘结剂为酚醛树脂、环氧树脂、石墨胶、聚乙烯醇、有机硅树脂、丙烯酸酯、聚氯乙烯中的一种或几种的混合物；过渡层主料颗粒的粒度为10~100μm；碳化钽粉末的粒度为0.1~10μm；所述碳化钽涂层表面无裂纹、无通孔。

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