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龙图腾网恭喜环晟光伏(江苏)有限公司申请的专利降低TOPCon太阳能电池激光切割损伤的方法及TOPCon太阳能电池片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118367062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410534470.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权降低TOPCon太阳能电池激光切割损伤的方法及TOPCon太阳能电池片是由杨帅;王卓楷;刘志金;张正强设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低TOPCon太阳能电池激光切割损伤的方法及TOPCon太阳能电池片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低TOPCon太阳能电池激光切割损伤的方法及TOPCon太阳能电池片，涉及太阳能电池技术领域。所述降低TOPCon太阳能电池激光切割损伤的方法包括：在二次硼扩后的电池片正面进行激光开槽，随后沉积钝化层以及金属化栅线和电极，得到TOPCon太阳能电池片。本发明通过先在二次硼扩后的电池片正面进行激光开槽，随后再沉积钝化层的方法，能够在激光无损切割分片后阻挡内部载流子迁移到切割截面进行复合，进而提升TOPCon光伏组件的光电转换效率和功率。

本发明授权降低TOPCon太阳能电池激光切割损伤的方法及TOPCon太阳能电池片在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon太阳能电池片，其特征在于，所述TOPCon太阳能电池片的制备方法包括：A制备中间体电池片：提供N型单晶硅硅片，依次进行清洗、制绒、一次硼扩、激光SE、二次硼扩，得到中间体电池片A；B激光开槽：在中间体电池片A的正面进行激光开槽，所述开槽位置为激光切割中轴线左右d1宽度处，形成2×d1宽度的正面开槽分离窗口，得到中间体电池片B；所述d1的宽度为0～0.5mm，且d1不等于0；C背面沉积：将中间体电池片B背面和侧面绕扩的硼硅玻璃去除，随后在中间体电池片B的背面沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层，并对本征多晶硅层进行磷扩散，得到中间体电池片C；D正面沉积：将中间体电池片C正面和边缘的磷硅玻璃去除并进行绕镀清洗，随后沉积氧化铝钝化膜，得到中间体电池片D；E双面沉积：在中间体电池片D的正面和背面分别沉积氮化硅减反射薄膜，随后在正面和背面分别沉积金属化栅线和电极，得到TOPCon太阳能电池片；所述步骤C背面沉积隧穿氧化层使用低压化学气相沉积或原子层沉积方法制备得到；所述背面沉积隧穿氧化层的厚度为1.5nm；所述氧化铝钝化膜的厚度为3nm。

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