恭喜通威微电子有限公司邓欢获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威微电子有限公司申请的专利一种可主动维持温度梯度的石墨坩埚及碳化硅制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119372771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411542901.3，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种可主动维持温度梯度的石墨坩埚及碳化硅制备方法是由邓欢设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可主动维持温度梯度的石墨坩埚及碳化硅制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可主动维持温度梯度的石墨坩埚及碳化硅制备方法，涉及碳化硅晶体生长设备领域。该可主动维持温度梯度的石墨坩埚包括主体及盖体，主体具有顶部开口的生长腔室，盖体选择性封盖生长腔室，生长腔室具有底部粉料区与顶部生长区，底部粉料区用于盛放碳化硅粉料；主体的侧壁内设置有延伸趋势向下的第一流道，第一流道具有用于引入换热介质的第一输入口，以及用于排出换热介质的第一输出口；第一流道包括处于第一输入口与第一输出口之间的顶部螺旋段，顶部螺旋段包围顶部生长区的周侧。因此，本发明提供的可主动维持温度梯度的石墨坩埚能够主动维持轴向温度梯度，保证碳化硅晶体持续正常生长。
本发明授权一种可主动维持温度梯度的石墨坩埚及碳化硅制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可主动维持温度梯度的石墨坩埚，其特征在于，包括主体110及盖体120，所述主体110具有顶部开口的生长腔室，所述盖体120选择性封盖所述生长腔室，所述生长腔室具有底部粉料区111与顶部生长区112，所述底部粉料区111用于盛放碳化硅粉料200；所述主体110的侧壁内设置有第一流道130，所述第一流道130具有用于引入换热介质的第一输入口131，以及用于排出换热介质的第一输出口132，由所述第一输入口131至所述第一输出口132，所述第一流道130的延伸趋势向下；所述第一流道130包括处于所述第一输入口131与所述第一输出口132之间的顶部螺旋段133，所述顶部螺旋段133包围所述顶部生长区112的周侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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