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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364804B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535150.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法是由梁世维;王俊;米卢;陈家祺设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗辐射加固的SiCMOSFET器件结构及制备方法，包括N‑漂移层，所述N‑漂移层的下方设有N+衬底层，所述N+衬底层的下方设有漏极金属层，所述N‑漂移层的上方设有载流子存储层，所述载流子存储层的上方设有源极金属层，所述源极金属下方的中间设有JFET区，所述JFET区内部引入沟槽，所述沟槽的内部设有P型掺杂区和填充区，所述沟槽的两侧设有P‑base区，所述P‑base区内设有N+源区和P+区。本发明采用上述的一种抗辐射加固的SiCMOSFET器件结构及制备方法，大幅降低薄氧中的电场强度，从而提升SiCMOSFET器件抗单粒子穿能力；仅需增加沟槽刻蚀、沟槽侧壁和底部P型离子注入、沟槽回填等工艺既可，工艺复杂度不高。

本发明授权一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐射加固的SiCMOSFET器件结构，其特征在于，包括N-漂移层，所述N-漂移层的下方设有N+衬底层，所述N+衬底层的下方设有漏极金属层，所述N-漂移层的上方设有载流子存储层，所述载流子存储层的上方设有源极金属层，所述源极金属下方的中间设有JFET区，所述JFET区内部引入沟槽，所述沟槽的两侧设有P-base区，所述P-base区内设有N+源区和P+区；所述沟槽的侧壁和底部设有P型掺杂区，所述沟槽的内部设有填充区，所述P型掺杂区中设有P型杂质，所述P型掺杂区位于沟槽的侧壁和底部，所述填充区填充P型多晶硅源极和N型多晶硅，所述N型多晶硅被P型多晶硅源极包围，所述填充区位于P型掺杂区的内部。

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