恭喜西湖烟山科技(杭州)有限公司杨帆获国家专利权
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龙图腾网恭喜西湖烟山科技(杭州)有限公司申请的专利重构晶圆、晶圆重构方法和显示面板的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119421580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411944011.5,技术领域涉及:H10H29/01;该发明授权重构晶圆、晶圆重构方法和显示面板的制备方法是由杨帆;凌威;吴海妹设计研发完成,并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本重构晶圆、晶圆重构方法和显示面板的制备方法在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种重构晶圆、晶圆重构方法和显示面板的制备方法,通过将待分割晶圆的外延结构层一侧的第一衬底去除以得到第一中间结构,将对应于较小尺寸待分割晶圆的第一中间结构分割成多个晶片,将晶片与较大尺寸的载体进行键合以得到重构晶圆,可以实现将小尺寸的待分割晶圆重构成大尺寸的重构晶圆,使得重构晶圆的尺寸可以满足先进工艺制程的要求。另外,首先去除第一衬底,可以减少后续步骤中晶圆分割得到的晶片缺陷,并减少后续重构晶圆过程中以及得到重构晶圆后的显示面板制备过程中的离子污染,有利于提高重构晶圆和显示面板的良率。在切割时包含砷化镓的第一衬底容易有毒性气体产生,提前去除第一衬底,有利于提高生产安全性。
本发明授权重构晶圆、晶圆重构方法和显示面板的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆重构方法,其特征在于,包括:将待分割晶圆的外延结构层一侧的第一衬底去除以得到第一中间结构;所述外延结构层包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一半导体层位于所述发光层和所述第一衬底之间;所述第一衬底的材料包括砷化镓;将所述第一中间结构分割成多个晶片;将所述晶片与载体进行键合以得到重构晶圆;其中,所述载体的面积大于所述待分割晶圆的面积;所述重构晶圆的晶片的外延结构层用于经过图形化后形成多个发光结构。
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