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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利一种多芯片堆叠封装及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114450785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980100933.9，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种多芯片堆叠封装及制作方法是由李珩;张晓东;王思敏;戚晓芸;王正波;牛瑞;伍青青设计研发完成，并于2019-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片堆叠封装及制作方法在说明书摘要公布了：一种多芯片堆叠封装及制作方法，涉及芯片技术领域，能够解决多芯片的应力集中问题，能够以进行更多层芯片的堆叠。该多芯片堆叠封装包括：沿第一方向堆叠设置的第一芯片101和第二芯片102，其中所述第一芯片101内沿所述第一方向开设有第一导电通孔31，所述第二芯片102内沿所述第一方向开设有第二导电通孔32；设置于所述第一芯片101和所述第二芯片102之间的第一再布线层21，且所述第一再布线层21的两侧分别与所述第一芯片101的表面和所述第二芯片102的表面固定，其中所述第一导电通孔31和所述第二导电通孔32通过所述第一再布线层21导通，所述第一导电通孔31和所述第二导电通孔32错开设置。所述多芯片堆叠封装及制作方法用于芯片的制造。

本发明授权一种多芯片堆叠封装及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片堆叠封装，其特征在于，包括：沿第一方向堆叠设置的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片分别包括无源层和有源层，其中所述第一芯片内沿所述第一方向开设有第一导电通孔，所述第二芯片内沿所述第一方向开设有第二导电通孔，所述第一导电通孔贯穿所述第一芯片的所述无源层和所述有源层，所述第二导电通孔贯穿所述第二芯片的所述无源层和所述有源层；设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间的第一再布线层，且所述第一再布线层的两侧分别与所述第一芯片的表面和所述第二芯片的表面固定，其中所述第一导电通孔和所述第二导电通孔通过所述第一再布线层导通，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔错开设置；所述第一芯片内设有多个第一导电通孔，所述多个第一导电通孔均匀间隔排列；所述第二芯片内设有多个第二导电通孔，所述多个第二导电通孔均匀间隔排列。

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